نتایج جستجو برای: پوشش ni pal2o3 sic
تعداد نتایج: 89562 فیلتر نتایج به سال:
در تحقیق حاضر پوشش های ni-p و ni-w-p و پوشش های کامپوزیتی ni-p-b4c و ni-w-p-b4c به روش الکترو لس بر روی آلیاژ منیزیم az91d بررسی شده است. مورفولوژی پوشش های ایجاد شده بوسیله sem مورد مطالعه قرار گرفت. سختی پوشش ها با دستگاه میکرو سختی سنج و مقاومت به سایش آن ها بوسیله دستگاه سایش پین برروی دیسک اندازه گیری شد. از دیگر بررسی های انجام شده در این تحقیق، لزوم انجام یک پیش عملیات مناسب بر روی زیر ل...
هدف از این مقاله ایجاد و مشخصه یابی ساختاری پوشش مرکب ni(5al)-al2o3-mos2 به روش پاشش پلاسمایی اتمسفری (aps) روی زیرلایه فولادی ck45 است. به همین منظور، مواد پودری با ترکیب 60ni(5al)-40al2o3، 60ni(5al)-35al2o3-5mos2 و 60ni(5al)-25al2o3-15mos2 (درصد وزنی) به روش آسیاب کاری مکانیکی آماده سازی شد. فرآیند خشک کردن پاششی برای افزایش یکنواختی چگالی و کروی کردن ذرات پودر انجام گرفت. عملیات پاشش با استف...
پوشش کامپوزیتی ni-nano tio2 بر روی فولاد ساده کربنی با غلظت های مختلف ذرات پودر اکسید تیتانیم در حمام واتس و با استفاده از رسوب دهی الکتریکی تهیه شد. خواص سختی، خوردگی و نفوذ هیدروژنی پوشش کامپوزیتی با پوشش نیکل خالص مورد مطالعه و مقایسه قرار گرفت. مقایسه خواص سختی پوشش ها حاکی از افزایش چشمگیر ریز سختی پوشش کامپوزیتی نسبت به پوشش نیکل خالص بود. با افزایش غلظت ذرات tio2 در حمام آبکاری ، به ترتی...
Presolar grains are considered to have traces in their birth before the solar system formation in their isotopic and elemental features. Most of silicon carbide type X (SiC X) and low density graphite grains show the excesses of 12C and 28Si. These isotopic features suggest that SiC X and low density graphite are originating from supernovae. On the other hand, elemental signatures of the grains...
در این پژوهش آزمونهایی بمنظور ایجاد ترکیبات سیلیسایدی به عنوان پوشش محافظ با استفاده از روکشکاری جوشی مخلوط پودری-C Mo-Siبه صورت تکمرحلهای، بر روی نیکل خالص انجام گردید. پیش از فرآیند روکش کاری، عملیات آسیاب کاری به منظور فعال نمودن مخلوط پودری انجام گرفته و در ادامه با تهیه الکترودهای مصرفی از مخلوط پودری و اعمال فرآیند جوشکاری قوسی تنگستن-گاز، لایه پوشش با ضخامتی در حدود 1 میلیمتر با مرز...
با توجه به آنکه مواد کربنی از جمله گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفتهاند؛ اما مشکل اصلی آنها، شروع اکسیداسیون از دمای حدود °C400 در محیط اکسیدی میباشد، بهترین روش برای تقویت مقاومت به اکسیداسیون گرافیت، استفاده از کاربید سیلیسیم با ساختار تدریجی است که به دلیل پایداری حرارتی مناسب و تطابق فیزیکی، شیمیایی و ضریب انبساط حرارتی مناسب با زیرلایه کربنی کاربرد گست...
The channel carrier mobility in commercially available 4H-SiC MOSFETs with NO annealed gate oxides is still far below the theoretical limit. It has been suggested that main reason high density of very fast interface traps, labeled NI, located inside oxide close to SiC conduction band edge. NI traps are usually not observed at room temperature but can be detected cryogenic temperatures. In this ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید