چکیده ندارد.

در این مقاله پایداری، خواص الکترونی و مغناطیسی در نانو نوار گرافنی با لبه زیگزاگ شکل( ZGNR ) آلایش یافته با اتم آهن، با استفاده از نظریه تابعی چگالی ( DFT ) بررسی شده است. بر طبق بررسی های انجام شده و با توجه به مقادیر بدست آمده برای انرژی تشکیل و انرژی پیوندی بهترین مکان برای جایگزینی اتم آهن با اتم کربن، در لبه ZGNR و با اتم کربنی به دست آمد که با هیدروژن پیوند دارد. همچنین اگر اتم های آهن جا...

‏‎hg1-x-cdxte‎‏ یک نیمرسانای آلیاژی دارای کوچکترین گاف انرژی در مقایسه با نیمرساناهای دیگر است. این ترکیب بطور گسترده برای آشکارسازی تابش مادون قرمز در ناحیه طول موجی 1-30 میکرومتر مورد استفاده قرار می گیرد. مشکل اساسی در کاربرد این ماده ‏‎hg1-xcdte‎‏ در آشکارسازهای مادون قرمز ، نیاز به خنک سازی برای حصول کارایی بالا می باشد. برای اجتناب از لزوم خنک سازی ، روشهای مختلفی از جمله روش بهینه سازی پ...

چکیده ندارد.

چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیردر خلاء، کندوپاش و حمام شیمیایی استفاده می شود. از بین این روش ها، س...

Single crystals of Cd.96Zn.04Te (CZT) with 14 mm in diameter were grown by seedless modified Bridgman method. Also, crystals with the same chemical composition were grown by vapor phase inert gas-transport method (VPGT), and single crystals up to 3.5 mm in diameter were obtained. Structural studies by XRD and back reflection Laue method show that the grown crystals are single phase with high pu...

دراین پایان نامه خواص ترابردی نیمرسانای ‏‎gaas‎‏ از نوع ‏‎p‎‏ مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل سه نمونه نیمرسانایی ‏‎gaas‎‏ هستند به ترتیب با عناصر ‏‎cr‎‏، ‏‎fe‎‏ و ‏‎co‎‏ آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ‏‎gaas‎‏ به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در ‏‎gaas‎‏ ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی، م...

در پایان نامه حاضر، به بررسی و مطالعه ی اثرات ناهمواری فصل مشترک بر روی ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای غیرمغناطیسی و مغناطیسی در رژیم همدوس می پردازیم. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم موثر و در تعیین مغناطش قطعات نیمرسانای مغناطیسی در اتصالات، از تقریب میدان متوسط استفاده شده است. برای توصیفی نزدیک تر به واقعیت از ترابرد الکتریکی در نانوساختارها، ناهمواری ها در فص...

CdS: Mn nanocrystals were obtained by nucleation and growth in colloidal solution. Their mean size range between 3.96 nm and 4.90 nm. The structural properties were studied by the use of X-ray diffraction (XRD). Phase transition between the hexagonal structure and cubic structure was evidenced to be a function of synthesis temperature. The mechanism of the phase transition also was revealed by ...