هدف ما در این تحقیق مطالعه رسانندگی گرمایی نیمرساناهای gan و zno بر حسب تابعی از دما است. این نیمرساناها که از گاف نواری مستقیم پهن برخوردارند، در دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی در شرایط توان بالا و دمای بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. عوامل گوناگونی می توانند در بزرگی رسانندگی گرمایی یک ماده موثر باشند که برخی از آنها به خواص ذاتی ماده و برخی متأثر از عوامل غیر ذاتی نظیر دررفتگی ه...

چکیده ندارد.

تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی چاه کوانتومی بدون آلایش نیمرسانای نیتروژندار دارای جابه جایی قرمز- آبی– قرمز متوالی (رفتار s گونه) می باشد که این امر به جایگزیدگی اکسیتون ها در افت و خیزهای پتانسیل درچاه کوانتومی و یا فصل مشترک چاه و سد نسبت داده می شود. میزان آلایش سیلیکونی در سد، روی تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی (رفتار s گونه)، پهنای طیف اپتیکی گسیلی (fwhm) و همچنین انرژی گسیلی کل در ط...

بررسی ساختار نواری نیمرسانای 2h-sic با استفاده از برنامه شبیه ساز ابی نت و تعیین پارامترهای جرم موثر، انرژی گاف و فاصله بین دره ها برای شبیه سازی خواص ترابرد الکترون در میدان های الکتریکی شدید؛ همچنین محاسبه آهنگ پراکندگی الکترون در اثر فونون های اپتیکی و آکوستیکی و همچنین وجود ناخالصی های یونیزه.

باپیشرفتهایاخیردرتکنولوژینانو،توجهزیادیبهترابردکوانتومیازساختارهایفلزعادیونیمرسانایمتصلبهابررساناشدهاست. اینتوجهبهدلیلکاربردهایممکنچنینساختارهایی درقطعاتالکترونیکیمیباشد. قطعاتالکترونیکیمعمولیبراساسشارشبارالکترون-هاطراحیمیشوند،درحالیکهقطعاتاسپینترونیکیبراساسجهتوتعداداسپین هایعبوریطراحیمی شوند. درقطعاتاسپینترونیکیمثلپیوندهایتونلیمغناطیسی،جریانقطبیدهاسپینیزمانیرخمی-دهدکهعدمتوازنیبینحاملهایاسپین...

برخی خواص فیزیکی منحصر بفرد نیمرساناهای نیتروژندار رقیق (in)ganas سبب شده است که در دهه ی اخیر به عنوان ماده ای جالب توجه در دیود لیزرهای فروسرخ، سلولهای خورشیدی چند پیوندگاهی با بازده بالا و سایر ابزارهای الکتریکی مورد توجه زیادی قرار گیرند. معلوم شده است که با افزودن نیتروژن به مقدار ناچیز (کمتر از 5%) به نیمرسانای gaas، گرچه گاف انرژی آن را به طور قابل ملاحظه ای کاهش جرم موثر الکترونها افزای...

در این پایان نامه به بررسی و محاسبه برخی پارامترهای موثر در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مواد نیتروژندار رقیق از جمله عرض ناحیه تهی، طول پخش حامل اقلیت، جریان اتصال کوتاه، جریان تاریکی و ولتاژ مدار باز از طریق مدلهای نظری وابسته به بازدهی کوانتومی داخلی سلول خورشیدی پرداخته ایم. محاسبات ما حاکی از آنست که در سلولهای خورشیدی با ساختار p-n رشد یافته به روش mbe، میزان آلایش کمتر در لایه نوع n و نیز اس...

هدف از این پایان نامه طراحی لیزر حالت جامد nd:yag با پهنای تپ پیکو ثانیه با استفاده از آینه های نیمرسانای جاذب اشباع پذیر sesam است. دو روش کلی برای قفل بندی مدهای طولی لیزری وجود دارد :1- قفل بندی مدی کنا که از مدوله ساز کنای دامنه، am، و یا از مدوله ساز فازی، fm، استفاده می شود 2- قفل بندی مدی ناکنا که از مدوله ساز خود دامنه sam تپ کوتاه تشکیل می‏‏شود. استفاده از sesam یکی از روش های sam برای...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسید روی به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. نخست، اثر حجم محلول اولیه ، آهنگ لایه نشانی و دمای بستر بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک zno بررسی شد. نتایج این بررسی ها نشان داد که حجم محلول، آهنگ لایه نشانی و دمای بستر بهینه برای تهیه لایه های نازک نانوساختار اکسید روی با رسانایی الکتریکی نوع-n و شفافیت اپتی...