در این پایان نامه به بررسی و محاسبه برخی پارامترهای موثر در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مواد نیتروژندار رقیق از جمله عرض ناحیه تهی، طول پخش حامل اقلیت، جریان اتصال کوتاه، جریان تاریکی و ولتاژ مدار باز از طریق مدلهای نظری وابسته به بازدهی کوانتومی داخلی سلول خورشیدی پرداخته ایم. محاسبات ما حاکی از آنست که در سلولهای خورشیدی با ساختار p-n رشد یافته به روش mbe، میزان آلایش کمتر در لایه نوع n و نیز اس...

اندازه گیری وابستگی بسامدی پذیرفتاری مغناطیسی، روش استانداردی برای شناسایی دانه های سوپرپارامغناطیس(sp) کانیهای فری مغناطیسی ثانویه می باشد. این اندازه گیریها دانه بندیهای سوپرپارامغناطیس (sp)، تک حوزه ای پایدار (ssd) و چند حوزه ای (md) را نشان می دهند. دانه های سوپرپارامغناطیس، دانه های فوق العاده ریز (کوچکتر از μm03/0) می باشند که در خاکها به راحتی جذب ریشه گیاهان می شوند. هدف از این کار شناس...

چکیده ندارد.

بدنبال کشف "پدیده مقاومت مغناطیسی بزرگ" در اواخر سالهای 1980، مطالعه خواص مغناطیسی چند لایه ای های مغناطیسی اهمیت ویژه ای یافت و به دلیل کاربرد فراوان آنها در صنعت الکترونیک اهمیت اینگونه چند لایه ای ها دو چندان شد. بدین جهت در این کار تجربی به مطالعه خواص فیزیکی تک لایه ای آهن و سه لایه ای fe/cu/fe و مقایسه آنها، پرداخته شده است. ساختار بلوری نمونه های رشد داده شده به روش تبخیر حرارتی با استفا...

آلیاژهای حافظه¬شکلی فرومغناطیسی، بواسطه وقوع گذار فاز ساختاری مارتنزایت و تغییر شکل قابل توجه با اعمال میدان مغناطیسی، به دلیل پتانسیل کاربرد در ساخت محرک¬ها و حسگرها توجه ویژه¬ای را به خود جلب کردند. باتوجه به حساسیت بالای خواص ساختاری و مغناطیسی این آلیاژها به ترکیب شیمیایی، محاسبات تئوری ابتدا به ساکن بر روی این مواد مختلف در جهت یافتن مواد مطلوب از اهمیت ویژه¬ای برخوردار است. در این پژوهش ا...

Si ng le c rys t als o f bin a ry semico ndu c to rs CdTc,CdSe. PhTe and PbSe were grown by sublimat ion and condensa tion techniq ues usi ng argon as the carri e r gas. Powder X-ray di ffractomet ry as wel l as La ue mClhod wcre employed fo r the stru ct ura l a na lysis. By usi ng Ha ll techniq ue. the de nsity and polarity of charge car rie rs we re de te rmined in single crysta ls. Pb...

در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

در این تحقیق به بررسی تاثیر آلایش یون دیامغناطیسی ti4 و شرایط ساخت روی خصوصیات مختلف ساختاری، مغناطیسی و الکتریکی منگنایت ????? پرداخته شده است. نمونه ها به روش استاندارد واکنش حالت جامد ساخته شدند. به منظور بررسی تاثیر دمای کلوخه سازی در خصوصیات مختلف ترکیبات، نمونه ها به دو سری تقسیم شدند و در دماهای 1200 و 1400 درجه ی سانتیگراد کلوخه سازی شدند و به ترتیب نمونه های دمای پایین و دما بالا نامید...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...