در سالهای اخیر پارچه های طرح دار هادی موضوع مورد علاقه بسیاری از محققین با تمرکز برروی کاربردهای پزشکی و الکترونیکی تجهیزات الکترونیکی  قابل پوشش بوده است. در این بین ، تکنولوژی چاپ جوهر افشان به عنوان یک روش با دقت بالا بواسطه کم بودن زمان فرایند، هزینه ،تلفات و همچنین توانایی فوق العاده  در ساخت طرح های هادی انعطاف پذیر نسبت به روشهای دیگر ترجیح داده میشود. در  این تحقیق از پارجه پلی استر با ...

نانو سیم های نیترید گالیوم در سه بعد دارای خواص پیزو الکتریک می باشد تائید قطبیت پیزوالکتریک روی افت پتانسیل ممکن است عامل مهمی باشد به این شکل که وقتی قطبیت پیزو الکتریک کاهش مییابد افت پتانسیل ساختار کوانتوم ول گالیم نترات بسیار بیشتر می شود میدان پیز و الکتریکی در نانو وایرهای کوانتومی گالیم نیترات نقش مهمی درانتشار نورنیتریدی دیود ها و لیزرها ایجاد می شود .که درطول موج قودرت نوسان گر و طول ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

نیمه هادی ها از جمله موادی هستند که نانو ساختارهای آنها جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار گرفته اند. از جمله نیمه هادی ها می توان به کالکوزنیدهای فلزی همچون mns,cds,pbs و sns غیره اشاره نمود که از زمانی که در سطح میکرو نانو تهیه شده اند به طور گسترده مورد بررسی و استفاده قرار گرفته اند. سولفیدهای فلزی دارای باند گپ ( band gap) باریک می باشند که آن ها را کاندیدای مناسبی جهت استفاده ...

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

پس ازکشف گرافین و خواص منحصر به فرد آن گروه¬های تحقیقاتی، هم در زمینه آزمایشگاهی و هم نظری جذب این ماده شدند. در راه استفاده از گرافین با یک سریمشکلات مواجه می¬شویم که یک راه مرسوم برای حل آن عاملدار دار کردن است. در این مطالعه هیدروژن دار کردن انتخاب شده است. محاسبات انجام شده با روش نظریه تابعی چگالی نشان می¬دهد گرافین به طور کامل هیدروژن دار شده که با نام گرافان شناخته شده است یک نیمه هادی ب...

در این تحقیق، به مطالعه عددی رسانش الکتریکی یک نانو ساختار نردبانی نامتناهی ایده آل در حضور و غیاب نقص های شبکه ای به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست پرداخته شده است. نقص های شبکه ای را می توان به عنوان اتصال های یک نردبان متناهی مرکزی به دو نردبان نیمه متناهی به عنوان هادی ها در نظر گرفت. نتایج نشان می دهد که ناحیه همپوشانی دو کانال رسانش نردبان را مقدار انرژی پرش در راستای پله تعیین می کن...

با گسترش نقش مبدل ها در صنعت و با توجه به تاثیر منفی آنها روی کیفیت توان ، بیشتر طراحان سعی در ارائه راه حلی جهت کاهش اعوجاج هارمونیکی کل (thd) ناشی از این مبدل ها دارند .یکی از این مبدل ها که نقش مهمی در اعوجاج هارمونیکی شبکه دارد یکسوکننده ها هستند. در بیشتر کاربردهایی که نیاز به ولتاژ dc است معمولاً از یکسوکننده پل استفاده می شود . یکسوکننده های پل دیودی ساده، ارزان، بدون نیاز به کنترل و مقاو...

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...