نتایج جستجو برای: نانوسیم نیمرسانا

تعداد نتایج: 458  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده فیزیک 1392

در دهه های اخیر خواص مختلف فیزیکی مواد مختلف مواد در مقیاس نانو مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است. علت این امر خصوصیات ویژه ای است که در نانوساختارها وجود دارد. یکی از انواع نانوساختارها، نانوسیم ها هستند. نانوسیم ها موادی هستند که در یک بعد گسترش یافته ودر دو بعد دیگر محدود شده اند. نانوسیمهای نیم رسانا کاربرد ویژه ای در صنعت دارند. بنابراین در این پروژه خواص فیزیکی نانوسیم tic که ماده ای نیم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1391

شیشه ها به شکل های مختلفی در سیستم های اپتیکی و اپتو الکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرند. از کاربردهای مهم شیشه ها استفاده از آن ها در سلول های خورشیدی و سنسور ها و میزبان لیزرهای حالت جامد می باشد. در دو دهه ی اخیر بررسی ها و تحقیقات گسترده ای بر روی میزبان های شیشه ی آلاییده به یون های خاکی کمیاب و ویژگی-های فلورسانسی آن ها انجام شده است. این تحقیقات برای دست یابی به میزبان های مناسب و بازه...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فاطمه مقدم f. moghadam research institute of applied sciences (acecr)پژوهشکده علوم پایه کاربردی جهاد دانشگاهی مهدی اسماعیل زاده m. esmaeilzadeh department of physics, iran university of sciences & technology, tehranدانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران

در این مقاله ترابرد الکترونها در ریزنوار یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی که در راستاهای متفاوت بر ابرشبکه اعمال می شوند, مورد بررسی قرار گرفته است. نمودارهای سری زمانی و نمای لیاپانوف با استفاده از روش رانگ- کوتای مرتبه چهارم محاسبه شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که برای مقادیر معینی از پارامترها که وابسته به خصوصیات ابر شبکه و میدانهای اعمال شده بر آن است, الکترو...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1391

در این پژوهش نانوسیم های اکسید روی به روش تبخیر حرارتی پودر zn ، بر روی زیرلایه های شیشه، کوارتز، سیلیکون و فولاد ، تحت شارش گاز آرگون به عنوان گاز حامل و هوا به عنوان گاز واکنش دهنده در دمای 620 درجه سانتیگراد به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. نمونه های بدست آمده توسط پراش پرتوی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد آنالیز قرار گرفتند. برای بررسی تأثیر کاتالیست بر روی رشد نانوسیم ها، زیرلایه ه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - پژوهشکده علوم نانو 1392

نانوسیم های کبالت به لحاظ ناهمسانگردی مغناطوبلوری تک محوری، به شدت مورد علاقه محققان جهت ساخت حافظه های مغناطیسی عمودی می باشند. بررسیهای نظری نشان داده است که ساخت نانوسیم های تک بلور کبالت با جهت گیری مناسب، امکان دسترسی به وادارندگی های بالا را فراهم می سازد. برای ساخت نانوسیم های کبالت در تحقیق حاضر، از روش الکتروانباشت پالس در داخل قالب های آلومینا تهیه شده از روش آندایز دومرحله ای در ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم 1381

درمطالعه نیمرساناها، درحل تحلیلی معادلات از فرضهای زیادی برای ساده سازی استفاده شده است به همین دلیل جوابهای بدست آمده ازحل تحلیلی نمی تواند به نحو مطلوبی قطعات نیمرسانا را توصیف کند. بنابراین برای بررسی خواص قطعات نیمرسانا ، بویژه قطعاتی که امروزه با فناوری جدید ساخته می شوند ، از مدلهای عددی و شبیه سازی استفاده می شود.

فاطمه مقدم, , مهدی اسماعیل زاده, ,

In this paper the motion of electron in a miniband of a semiconductor superlattice (SSL) under the influence of external electric and magnetic fields is investigated. The electric field is applied in a direction perpendicular to the layers of the semiconductor superlattice, and the magnetic field is applied in different direction Numerical calculations show conditions led to the possibility of ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1389

چکیده آرایه ای از نانوسیم های (co_x zn_(1-x)(x = 0-0.46 با قطر 35 نانومتر با استفاده از الکتروانباشت متناوب درون قالب اکسید آلومینیوم متخلخل آندی ساخته شد. مقدار x از طریق تغییر نسبت یون های کبالت و روی در محلول الکترولیت، تغییر یافت. از میکروسکوپ الکترونی عبوری و پیمایشی، پراش پرتو x، پراش الکترون، و مغناطومتر نیروی گرادیان متناوب برای مطالعه ساختار وخواص مغناطیسی نانوسیم ها استفاده شد. مشخص ...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1391

در این پایان نامه، نانوساختارهای یک بعدی tio2 به روش vls تهیه شدند. بطور کلی ساخت نانوسیم های tio2 شامل سه مرحله ی اساسی می باشد: نخست، لایه نازکی از تیتانیوم به روش پرتوالکترونی در خلاء mbar 5-10×5/1 بر زیرلایه کوارتز لایه نشانی شد. سپس به روش کندوپاش لایه نازکی از طلا به ضخامت nm 3 بر روی تیتانیوم پوشش داده شد. در مرحله ی نهایی محصول بدست آمده در کوره ی استوانه ای قرار داده شد و نانوسیم های t...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید