در این مقاله، حرکت یک غشاء ارتجاعی و نیز اندرکنش هیدرودینامیکی چند غشاء در یک میکروکانال با توسعه یک کد کامپیوتری به زبان c شبیه سازی می گردد. برای حل میدان جریان سیال از روش شبکه بولتزمن و برای شبیه سازی اندرکنش سیال- جامد از روش مرز غوطه ور استفاده می شود. غشاها به صورت مرزهای انعطاف پذیر غوطه ور در جریان سیال در نظر گرفته می شوند. ابتدا یک غشاء با سفتی بالا به شکل مقعرالطرفین در نظر گرفته می...

ابتداء مدلی تحلیلی از یک twt ارائه و بررسی می شود؛ مدلی خطی که برمبنای مدل نمودن ساختار موج کند توسط ثابت دی الکتریک موثر، توزیع یکنواخت عرضی توده الکترونی و تغییرات اندک مشخصه های حجمی توده الکترونی نزدیک مقادیر متوسط بدست می آید و مدل غیر خطی که بر اساس فرض تغییرات عرضی اندک میدان در حجم توده الکترونی و ثابت بودن نسبت توان به میدان موثر (امپدانس بر هم کنش ) و انرژی به میدان موثر (ثابت دی الکت...

در این مقاله اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی در یک بلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی متشکل از میله های سیلیکون در زمینه هوا بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که بلور فوتونی مدرج توانایی کانونی کردن امواجی با پهنای عرضی بزرگ را در بسامد های نزدیک به لبه پایین نوار گاف دارد، که در این بسامد ها شکل منحنی هم بسامد مقعر نمی باشد. ساختار نوار فوتونی و منحنی های هم بسامد مربوط به این بل...

روشی را برای تخمین و تعیین پارامترهای مدل آیزینگ حلقه ای در یک میدان عرضی محلی با اندازه گیری روی ذره ی اول ارائه می دهیم.

معادله پاشندگی امواج الکترومغناطیس عرضی دریک پلاسمای الکترون –پوزیترون مغناطیده بدست آمده است. الکترونها و پوزیترونها میتوانند باسرعتهای سوقی متفاوت در راستای یک میدان مغناطیسی خارجی حرکت کنند. حل تحلیلی معادله پاشندگی نشان میدهد ناپایداری وایبل دراین سیستم پلاسمایی رشد خواهد نمود و با افزایش قدرت میدان مغناطیسی از آهنگ رشد ناپایداری کاسته خواهد شد. نتایج این تحقیق، برای فهمیدن منشاء میدان مغنا...

در مقاله حاضر، پارامترهای هندسی و فیزیکی موثر بر ارتعاشات آزاد و نیروی ضربه یک ورق ساندویچی سه لایه با الاستومر مگنتورئولوژیکال در لایه میانی تحت ضربه عرضی با سرعت پایین بررسی شده است. فرکانس طبیعی اول و ضریب استهلاک مودال متناظر برای چهار مود اول ارتعاشی برای ضخامت هسته، شدت میدان مغناطیسی و ضرایب منظری متفاوت بدست آمده است. سیال هوشمند مگنتورئولوژیکال (mr) در شدت میدان مغناطیسی مختلف، خواص مت...

یکی از میکروسکوپ هایی که در حوزه ی نانومتری به کار برده می شود میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک است. تفکیک پذیری میکروسکوپ های معمولی در ابعاد طول موج نور است در حالیکه این میکروسکوپ ها با استفاده از میدان نزدیک، تفکیک پذیری کمتر از طول موج را امکانپذیر می سازند. در این پایان نامه، نوک کاوه ی میکروسکوپ با یک کره ی دی الکتریک تقریب زده شده و تصویر به دست آمده از توپوگرافی سطح در حالت های مختلف م...

در این پایان نامه، رفتار استاتیک ساختارهای آرایه ای پادهدایت vcsel، شبیه سازی و آنالیز شده است. برای تحلیل مشخصه های نوری (میدان نزدیک و دور)، گرمایی (توزیع دما) و اکتریکی (چگالی حامل) ساختار، از مدل نسبتاً جامعی که شامل معادلات موج، پخش حامل و انتقال گرما و اثرات متقابل پدیده های نوری، گرمایی و الکتریکی است، استفاده گردیده است. دو گروه از vcselهای آرایه ای پادهدایت، بررسی شده اند: آرای? تزویج ...