نتایج جستجو برای: میدان مغناطیسی قوی

تعداد نتایج: 29422  

با حل معادلات تولید میدان عقبه در حضور میدان مغناطیسی خارجی، مشاهده کردیم که طول دفازه شدن و انرژی نهایی الکترون‌های شتاب گرفته به وسیلۀ میدان عقبه به قطبش تپ و راستای اعمال میدان مغناطیسی وابسته است. به طوری‌که برای حالت اعمال میدان مغناطیسی در خلاف جهت انتشار تپ لیزری با قطبش راست‌گرد، طول دفازه شدن با افزایش نسبت به دیگر حالت‌ها حدود پنج سانتی متر می‌شود و انرژی نهایی کسب شده به وسیلۀ الکترو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1380

یکی از راههای پی بردن به ساختار داخلی جامدات اعمال میدان مغناطیسی به جسم در جهت های مختلف و با شدت های متفاوت و مشاهده تاثیر میدان مغناطیسی اعمال شده بصورت تغییر خواص ماکروسکوپی آن جسم است.نتایج حاصله از اثر میدان مغناطیسی روی اجسام علاوه بر تائیدی بر نظریه های بکار رفته در فیزیک حالت جامد کاربردهای فراوانی را نیز در زمینه های مختلف صنعتی میتواند بهمراه داشته اشد.از جمله اثرات اعمال میدان مغناط...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
اسماعیل تقی زاده سی سخت e taghizdehsiskht isfahan university of techologyدانشگاه صنعتی اصفهان فرهاد فضیله f fazileh isfahan university of techologyدانشگاه صنعتی اصفهان مژده فروزنده m forozandeh isfahan university of techologyدانشگاه صنعتی اصفهان

مطالعه عددی ترابرد کوانتومی درکانال­های باریک دو بعدی، تحت شرایط بی­نظمی و در حضور میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. از مدل تنگابست برای توصیف هامیلتونی و محاسبه تابع گرین مربوط به کل سیستم به گونه­ای که اثر رابط­ها از طریق یک تابع خود انرژی درون سیستم گنجانده شده باشند، بهره گرفته­ایم. با محاسبه تابع تراگسیل که با تابع گرین حاصله مرتبط است، ترابرد کوانتومی را در شرایط مذکور شبیه­سازی ن...

افزایش میدان­های مغناطیسی که حاصل پیشرفت تکنولوژی امروزه می‌باشد- بر روند جوانه زنی بذرها  تأثیر گذاشته است و لزوم شناخت اثر این تغییرات جهت مدیریت مصرف بذر که بخش عمده‌ای از هزینه‌های مزرعه‌ای را شامل می شود، ضروری به نظر می‌رسد. بدین سبب این پژوهش به منظور بررسی تأثیر شدت و مدت زمان‌های مختلف میدان مغناطیسی بر خصوصیات جوانه زنی بذر یونجه انجام شد. تیمارهای آزمایشی شدت و مدت زمان‌های مختلف مید...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1399

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

با هدف غلبه بر مشکلات زیست محیطی ناشی از تجمع پلاستیک­ های مصنوعی و دفع لجن فعال مازاد در تصفیه خانه­ های فاضلاب شهری، پژوهش ­های متعددی در زمینه تولید پلیمر­های زیست ­تخریب ­پذیری چون پلی­ هیدروکسی ­آلکانوات ها (PHAs) انجام شده است. در این پژوهش اثر میدان­ های مغناطیسی 5، 10، 15، 20، 25 و 50 میلی­ تسلا بر نوع و درصد جرمی مونومر­های کوپلیمر PHA و بر مقدار تولید آن از لجن فعال در مقایسه با نمونه...

در این مقاله به بررسی شتابدهی طولی الکترون توسط پالس لیزر گاوسی در کانال پلاسمایی کم‌چگال و در حضور میدان مغناطیسی عرضی می‌پردازیم. پارامترهایی مانند دامنه وزاویه قطبش پالس لیزر، چگالی پلاسما و شدت میدان مغناطیسی تأثیر قابل توجهی بر دینامیک الکترونها دارند. نشان داده شده که حضور میدان مغناطیسی در کانال سبب افزایش آستانه‌ی چگالی لازم برای شروع شتابدهی الکترون می‌شود. با بررسی وابستگی شتاب الکترو...

ژورنال: افق دانش 2012
احمدیان پور, محمد رضا, حسینخانی, سامان, عبدالمالکی, پرویز , مولا, سید جواد,

اهداف: آپوپتوزیس یا مرگ برنامه‌ریزی‌شده سلول، فرآیند فیزیولوژیک سلولی است که منجر به نمو فعال و طبیعی و همچنین حفظ هوموستازی بافتی می‌شود. آپوپتوزیس تحت تاثیر عوامل مختلف محیطی رخ می‌دهد. این مطالعه به‌منظور یافتن راهی کم‌خطر برای القای آپوپتوزیس در سلول‌های T-لنفوبلاست انسانی به بررسی اثر میدان مغناطیسی ایستا بر القای آپوپتوزیس پرداخت.روش‌ها: در این پژوهش آزمایشگاهی، دودمان سلولی T-لنفوبلاست‌ه...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
مهین اشراقی m. eshraghi najafabad, iranمرکز نجف آباد پرویز کاملی p. kameli isfahan university of technology, isfahan, 84156-83111, iranدانشگاه صنعتی اصفهان هادی سلامتی h. salamati isfahan university of technology, isfahan, 84156-83111, iranدانشگاه صنعتی اصفهان اسماعیل عبدالحسینی سارسری e. abdolhosseini sarsari isfahan university of technology, isfahan, 84156-83111, iranدانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله, دو نمونه همسانگرد(پرس نمونه در غیاب میدان مغناطیسی) و ناهمسانگرد( پرس نمونه در حضور میدان مغناطیسی) از ترکیب la0/8sr0/2mno3 تهیه شده است. برای بررسی خواص ساختاری, مغناطیسی و مغناطومقاومت نمونه­ها از آنالیزهای xrd , sem , همچنین اندازه­گیریهای پذیرفتاری مغناطیسی ac و مغناطومقاومت نمونه­ها استفاده شد. نتایج آزمایشها نشان می­دهد که خواص مغناطیسی در نمونه ناهمسانگرد بهبود پیدا کرده و ...

ژورنال: :مجله علوم و تکنولوژی پلیمر 2014
مرضیه فاتحی سید احمد عطائی

با هدف غلبه بر مشکلات زیست محیطی ناشی از تجمع پلاستیک­ های مصنوعی و دفع لجن فعال مازاد در تصفیه خانه­ های فاضلاب شهری، پژوهش ­های متعددی در زمینه تولید پلیمر­های زیست ­تخریب ­پذیری چون پلی­ هیدروکسی ­آلکانوات ها (phas) انجام شده است. در این پژوهش اثر میدان­ های مغناطیسی 5، 10، 15، 20، 25 و 50 میلی­ تسلا بر نوع و درصد جرمی مونومر­های کوپلیمر pha و بر مقدار تولید آن از لجن فعال در مقایسه با نمونه...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید