در این مقاله، یک مدل انتشار موج جدید بر پایه utd برای مسیرهای با پراشهای چندگانه در مخابرات رادیویی موبایل سلولی و محیطهای شهری پیشنهاد می گردد. علاوه بر این، روابط جدید دقیقی برای محاسبه افت پراشهای چندگانه توسط ساختمانها و افت اضافی مسیر استخراج شده و تحلیل می گردند. برای این منظور، فرض می کنیم که ردیفهای ساختمانها دارای سطح مقطع های مستطیلی بوده و ارتفاعها و فواصلشان از همدیگر یکسان است. همچ...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (spr) با استفاده از نظریه ی مای و نرم افزار fdtd مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می شود. هم چنین...

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

یکی از راههای مناسب برای تامین انرژی مورد نیاز که امروزه مورد توجه اکثر کشورها قرار گرفته است استفاده از انرژی هسته ای می باشد.در حال حاضر مشکل ترین مانع بر سر راه تولید این نوع انرژی ، تامین سوخت آن است که هم از نظر محدود بودن میزان ذخائر اورانیم و هم از لحاظ امکانات تکنولوژی ، استفاده از راکتورهای قدرت هسته ای را پیچیده ساخته است . باید اضافه نمود که در اغلب موارد قیدو بند های سیاسی نیز مساله...

در سال های اخیر سرامیک های بر پایه خانواده( cacu3ti4o12 (ccto به سبب داشتن ثابت دی الکتریک بالا به منظور به کارگیری آنها در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است. ساختار ccto به صورت پرووسکایت مکعبی حجم مرکز دار با گروه فضایی im3 تا دماهای پایین 35 درجه کلوین می باشد. برخی از این ترکیبات ثابت های دی الکتریک تا مقادیر بالای 100000 را در دمای اتاق در گستره فرکانس بین ...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک li0.05ni0.95o ب...

سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی های متعددی روبه رو می شود. برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی و رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها ، چندین روش موجود می باشد که یکی از آن ها بکارگیری امواج مایکروویو است. در این تحقیق با استفاده از امواج مایکروویو و اندازه گیری ثابت دی الکتریک برای تشخیص خرابی های داخلی سه رقم سیب زمینی ( آگری...

به این منظور، در فصل اول به شرح چگونگی ایجاد کربن نانوتیوبها و نیز مفاهیم اپتیکی آنها پرداخته شده است. در فصل دوم با استفاده از مدل تنگ بست قوی، خواص الکتریکی کربن نانوتیوبهای زیگزاگ و آرمچیر بررسی شده است. در ادامه خواص اپتیکی و تاثیرات حضور میدان مغناطیسی خارجی بر روی آنها بررسی شده است. در فصل سوم کربن نانوتیوبهای تک دیواره زیگزاگ و آرمچیر را به صورت استوانه سه بعدی در نظر گرفته ایم و پذیر...

ماکرومولکول های زیستی دارای ضریب دی الکتریک کوچک هستند که در محیط های آبی، با ضریب دی الکتریک بزرگ، حل شده اند. وجود این ناهمگنی ضریب دی الکتریک در مرز ماکرومولکول و آب، در برهمکنش های الکتروستاتیک اثر دارد. در این پایان نامه برای به دست آوردن برهمکنش های الکتروستاتیک در حضور ناهمگنی ضریب دی الکتریک، از روش تابع گرین استفاده می کنیم و تابع گرین را برای یک کره ی دی الکتریک، یک استوانه ی دی الکتر...