در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس 2.4GHz در فناوری CMOS پرداخته شده است. فرایند شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE RF انجام‌گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین‌تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می‌شود. شبکه‌ی تطبیق اضافه‌شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر S11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس 2.4GHz در فناوری CMOS پرداخته شده است. فرایند شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE RF انجام‌گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین‌تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می‌شود. شبکه‌ی تطبیق اضافه‌شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر S11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

با توجه به افزایش عملکرد و سطح بالای مجتمع سازی، توان مصرفی در پردازنده های مدرن، به یکی از مهم ترین نگرانی های طراحان در این زمینه تبدیل شده است. کنترل پویای ولتاژ و فرکانس و کاهش ولتاژ تغذیه یکی از موثرترین روش های موجود در کاهش توان مصرفی دستگاه های با بار محاسباتی متغیر است. تراشه های مدیریت توان به صورت گسترده ای در وسایلی مانند کامپیوترهای قابل حمل، تلفن های همراه، دستگاه های gps، دوربین ...

در صنعت از منابع تغذیه ی مختلفی برای سیستم های لایه نشانی استفاده می شود. انتخاب منبع تغذیه ی مطلوب با توجه به شرایط لایه نشانی صورت می گیرد. منابع تغذیه ی مورد استفاده شامل منبع تغذیه ی dc ، ac ، rf و pulsed-dc می باشند. در این پروژه یک منبع تغذیه ی پالسی جریان مستقیم برای سیستم های لایه نشانی طراحی و ساخته شد. این منبع تغذیه با توان 5کیلووات و ولتاژ متغیر تا 700 ولت و فرکانس متغیر تا 10 کیلوه...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

در این مقاله برآنیم، که تقویت کننده هدایت انتقالی (ota1) در تکنولوژی cmos را از طریق بدنه (bulk driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. ota یکی ازساختارهای بنیادی تقویت کننده هاست. در دهه ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به دنبال طرحها...

در این پایان نامه یک تقسیم کننده فرکانسی قفل شونده با تزریق با مصرف توان پایین و قابلیت کار در ولتاژ تغذیه کم ارائه شده است که در فرایند cmos با تکنولوژی ?m 0.18 tsmc و با استفاده از نرم افزار ads شبیه سازی شده است. تقسیم کننده فرکانسی شامل دو بخش اصلی نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ و منبع تزریق سیگنال خارجی است. اندازه-گیری ها نشان می دهد که مدار در ولتاژ تغذیه v 1.3 توان mw 3.9 را مصرف می کند...

در این مقاله برآنیم، که تقویت کننده هدایت انتقالی (ota1) در تکنولوژی cmos را از طریق بدنه (bulk driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. ota یکی ازساختارهای بنیادی تقویت کننده هاست. در دهه ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به دنبال طرحها...

امروزه آرایه‌هایی خورشیدی‌‌‌، پیل‌های سوختی و انرژی باد به عنوان منابع انرژی پاک بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند‌‌. این منابع می‌توانند انرژی خود را به شبکه برق و یا به طور مستقیم به مصرف کننده تحویل‌ دهند‌. معمولا سطح ولتاژ تولیدی در این منابع، پایین و نیاز به افزایش سطح ولتاژ می‌باشد. برای حل این مشکل می‌توان از مبدل‌های بهره ولتاژ بالا به صورت یک درگاهه و چند درگاهه استفاده نمود. در مبدل پیشن...

امروزه تقاضا برای کیفیت توان به منظور ایمنی تجهیزات الکتریکی و رضایت مصرف کننده ها بسیار افزایش یافته است. یکی از تجهیزاتی که برای بهبود کیفیت توان الکتریکی استفاده می شود، dvr می باشد. dvr اینورتری است که به صورت سری با خطوط شبکه قرار می گیرد. در هنگام تغییر ولتاژ خط، dvr ولتاژی را با دامنه و فاز قابل کنترل، به صورت سنکرون با ولتاژ منبع، توسط ترانسفورماتور، به خط تزریق می کند تا ولتاژ بار را د...