نتایج جستجو برای: معادله گاف

تعداد نتایج: 14149  

ژورنال: :علوم 0
حسن ربانی hassan rabani assistant professor in shahrekord universityهیات علمی دانشگاه شهرکرد آزاده مظلوم شهرکی azadeh mazloom shahraki msc student in shahrekord universityدانشجوی ارشد دانشگاه شهرکرد

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محمد مردانی m mardaani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد سونیا انصاری s ansary shahrekord universityدانشگاه شهرکرد

در این مقاله رسانندگی الکترونی یک بسپار پلی پیرول ( ppy ) متصل به دو هادی فلزی در رهیافت بستگی قوی و به روش تابع گرین بررسی شده است. در ابتدا ساختار پلی پیرول را به کمک روش بازبهنجارش، به یک ساختار یک بعدی تبدیل کرده، سپس رسانندگی آنرا برحسب طول بسپار، انرژی پرش اتصال با هادی ها به دست آورده ایم. نتایج نشان می دهد که در نواحی گاف، با افزایش طول و کاهش انرژی پرش اتصال ها، رسانش الکترونی کاهش می ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
کامران بهنیا k. behnia ecole supérieure de physique et de chimie industriellesپاریس، فرانسه

در مسیر جستجوی درک الکترونهای همبسته, ابررسانایی دمای بالا هنوز به عنوان یک چالش بزرگ و هم یک منبع درک بیشتر ما باقی مانده است. این مقاله به طور خلاصه دستاوردهای اصلی مطالعه ترابرد گرمایی در دماهای پایین را بیان می کند. در دماهای خیلی پایین شبه ذرات گره ای در گاف ابررسانایی –d موجی تبدیل به حاملین اصلی حرارت می شوند. بی نظمی در رسانندگی حرارتی آنها تاثیری نمی گذارد که این بازتابی از خواص زیر گا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - پژوهشکده علوم نانو 1393

ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن ...

در صنعت اسپینترونیک به ترکیبات دوتایی عناصر واسطه مانند بلور CrAs در فاز شبه پایدار بلندروی، به علت رفتار فرومغناطیسی نیم فلزی آن ها، توجه زیاد شده است. در این مقاله خواص انبوهه CrAs در دو فاز شش گوشیNiAs و بلندروی مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از بسته محاسباتی Espresso بر مبنای نظریه ی تابعی چگالی و نظریه ی تابعی چگالی اختلالی، با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. نتای...

در این مقاله، سیستم مورد بررسی ریز دانه های مکعبی ابررسانای مسین حفره دار در حوالی مناطق قطری می باشد. از آنجایی که مدل های مهم در ابررسانایی دمای بالا، شامل تبادل افت و خیز اسپینی می باشند، در اینجا می خواهیم یکی از آنها را که به مدل اسپین-فرمیون مشهور است، به کار بریم. تحت چارچوب این مدل، قطبش کل ( بدون در نظر گرفتن خود-انرژی)را با استفاده از معادلات استاندارد الیشبرگ و تصحیح مرتبه اول قطبش ر...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1389

نانولوله ها دارای تنوع بسیار در قطر و کایرالیتی هستند و خصوصیات الکتریکی آنها شدیداً به هندسه شان وابسته است در نتیجه خصوصیات الکتریکی بسیار متفاوتی دارند. نانولوله ها می توانند فلز، نیمه رسانا با گاف انرژی کوچک یا نیمه رسانا با گاف انرژی متوسط باشند. به علت این تنوع تعیین گاف انرژی آنها امری پیچیده است. در این پایان نامه گاف انرژی نانولوله های کربنی را در دو بخش محاسبه کردیم. در بخش اول با استف...

دراین تحقیق، خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فولرن C20همراه تعداد متفاوت از اتم های بریلیوم (Be) متصل برروی سطح آن بررسی شده است. نتایج نشان داد که پایداری نانوخوشه‌ها با اضافه‌کردن تعداد اتم‌های بریلیوم افزایش یافت و با افزایش تعداد اتم بریلیوم در اطراف C20، گاف HOMO-LUMO عموماً کاهش یافت ولی بیشترین کاهش در گاف انرژی (Eg) در دو ساختار Be4@C20-trans و Be6@C20 با گاف انرژی 69/0 و 49/0 دیده شد. همچ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - پژوهشکده علوم 1393

در این رساله ما اثر جوزفسون در اتصال های شامل دو ابررسانای دو نواره موج s بر پایه آهن که دارای دو گاف ابررسانایی با علامت های مخالف هستند و توسط یک لایه میانی عایق از هم جدا شده اند را بررسی می کنیم. با نوشتن توابع موج در نواحی عایق و ابررسانا، مسئله را در دو حالت بررسی می کنیم. در حالت اول فرض می کنیم که ضخامت قسمت عایق بسیار کوچک و قابل صرف نظر کردن است و در حالت دوم یک ضخامت متناهی را برای ن...

ژورنال: شیمی کاربردی 2015
حسینعلی نجاری حیدرعلی شفیعی گل

در این مقاله، نتایج حاصل از محاسبات تابعی چگالی را در بسته نرم‌افزاری VASP برای خوشه‌های CdnTen (10-1=n) و با استفاده از تقریب چگالی موضعی به روش امواج تصویری تقویت شده ارائه شده است. خواص ساختاری (طول و زاویه پیوند، عدد هم‌آرایی و پایداری)، الکترونی و اپتیکی (انرژی بستگی بر اتم، اختلاف مرتبه دوم در انرژی کل، گاف انرژی و چگالی بار جزئی) حالت‌های پایه خوشه‌ها مورد تجزیه تحلیل قرار گرفته اند. با ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید