تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

در این مقاله ساخت یک لیزر دو طول موجی ایتربیومی فیبری تک مد با قابلیت گزینش پذیری یا تولید دو قله هم شدت در ناحیه طول موجی یک میکرون با کمترین فاصله طول موجی 0.53 و بیشترین فاصله nm 12.2 گزارش شده است. یک توری موجبر آرایه ای (awg) به همراه یک گزینشگر کانال اپتیکی (ocs) در چینش ارائه شده مورد استفاده قرار گرفت تا سازوکار گزینشگری را برای 23 حالت مختلف از تنظیم پذیری طول موجی به عهده گیرد. یک توا...

در فرایند سردسازی اپتومکانیکی کاواک، میدان اپتیکی لیزر محرک، میرایی اضافی را بر مد مکانیکی کاواک اعمال می‌کند و باعث برگشت آن به حالت پایه می‌شود. در این تحقیق، سردسازی کوانتومی یک کاواک اپتومکانیکی در تماس با یک منبع حرارتی، توسط جعبه ابزار کوانتوم برای پایتون "کیوتیپ" ، شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که فرایند سردسازی کاواک، با افزایش یافتن ضریب واهلش مدهای اپتیکی و مکانیکی، ...

در این پ‍ژوهش اثر یون آلاینده Cr2O3بر خواص اپتیکی، حرارتی و ساختاری شیشه با ترکیب 53%SiO2-17Na2O-17CaO-13CaF2مورد مطالعه قرار گرفته است. هم‌چنین با انجام عملیات حرارتی دو مرحله‌ای در دمای جوانه‌زنی و رشد فاز بلورین نانومتر در شیشه بدون آلاینده و آلاییده شده باCr2O3متبلور گردید. حضور بلورهای نانومتری منجر به تغییر خواص اپتیکی شیشه، کاهش انرژی نوار ممنوعه و انرژی Urbachدر شیشه‌ها شده است. نوع فاز...

اخیراً، نیم رساناهای کالکوژنید چهارتایی i2-ii-iv-vi4 به علت کاربرد بالقوه آنها به عنوان جاذب های سلول خورشیدی، فوتوکاتالیست برای تجزیه نوری آب، مواد ترموالکتریکی، جذب اپتیکی بالا ( > 104× 1)، و برای خواص مگنتو اپتیکی و مولتی فرویک در حضور mn ، مورد علاقه وسیعی قرار گرفته اند. ترکیبات چهارتایی i2-ii-iv-vi4 از طریق یک جانشینی کاتیونی عرضی در ترکیبات سه تایی i-iii-vi2 استخراج شده اند ، به این صورت ...

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...

هدف این رساله، بررسی اثرات غیرخطی روی تحول سامانه در حالت پایا و در حالت وابسته به زمان با استفاده از معادله اصلی می باشد. رفتار سامانه که شامل یک اتم سه ترازی محصور شده در یک کاواک اپتیکی تک مد، با یک آینه غیرخطی، می باشد در حالت پایا بررسی شده است. علیرغم اثرات غیرخطی، این سامانه در دو رژیم متفاوت کار می کند. در یک رژیم، سامانه خواص یک لیزر مرسوم را از خود نشان می دهد که با تئوری لیزر نیمه کل...

نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-...

در این پژوهش لایه های نازک رسانا و شفاف fto را به روش اسپری بر روی زیرلایه های شیشه لایه نشانی کرده ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه ها) و نسبت آلایش f را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر sem مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج optics ocean و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول (ضخامت لای...

در این مقاله وابستگی خواص اپتیکی نانولوله های چند دیواره ای1 (mwnt) به غلظت ماده بررسی شده است .mwnt، در پلی پیرول به روش پلیمریزاسیون الکتروشیمیایی مونومرها در حضور مقادیر متفاوت mwnt با استفاده از سدیم دو دسیل بنزن سولفونات2 (sdbs) به عنوان سورفکتانت در دمای اتاق ساخته شده اند. ضریب شکست و ضریب جذب غیرخطی نمونه ها با به کارگیری لیزر پیوسته توان پایین با طول موج 532 نانومتر، با استفاده از روش ...