منظور از دو(چند)پایایی نوری، حالتی است که در آن دو(چند) شدت خروجی پایدار متفاوت برای یک شدت ورودی معین ممکن می شود. خاصیت دوپایایی نوری، یکی از اصول مهمی است که در ساخت ترانزیستورها، کلیدها، مدارهای منطقی، حافظه ها و ... به کار گرفته می شود. قابلیت کنترل پذیری سیستم های همدوس نظیر سیستم های گازی، این امکان را ایجاد کرده است که بتوان آستانه ی دوپایایی نوری را در شدت های پایین کنترل کرد. از طرفی ...

در ترکیبات نیم فلز یکی از دو کانال اسپینی نیم رسانا یا عایق و دیگری فلز است. بنابراین این ترکیبات دارای قطبش اسپینی100% در سطح فرمی هستند، لذا این ترکیبات یک جریان کاملاً اسپین-قطبیده ایجاد می کنند و به همین دلیل در صنعت اسپینترونیک مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. نیم فلزهای فرومغناطیسی می توانند به روش رونشستی هم محور باریکه مولکولی بر روی نیم رساناها رشد داده شوند. در این روش موضوع اصلی داش...

گرافین یک نیمه رسانا با گاف انرژی صفر است. با وجود اینکه خاصیت ابررسانایی ذاتاً در گرافین وجود ندارد اما می¬توان این خاصیت را با استفاده از اثر مجاورت در آن القا کرد. طبق نتایج بیناکر در رسانندگی اتصالات با پایه گرافین در کنار پدیده¬ی انعکاس معمول آندریف، انعکاس آینه ای آندریف هم اتفاق می¬افتد که باعث تغییرات قابل توجهی در نمودارهای رسانندگی می¬شود. نوع جفت شدگی که توسط ابررسانای بکار رفته در اث...

در این پژوهش با استفاده از معادله های رانش- نفوذ به شبیه سازی آشکارساز نوری فلز- نیم رسانا- فلز پرداخته شده است. دسته معادله های پواسون، پیوستگی چگالی الکترون و پیوستگی چگالی حفره در نظر گرفته شده و با بهره گیری از فن نیوتن- رافسون، به طور هم زمان حل شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مدل ارائه شده می تواند پاسخ افزاره به تابش نور را به ازای دو حالت ایستا و پویا محاسبه کند. نتیجه های به دس...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه، سیستم معادلات یک لیزررا در نظر می گیریم، که تحت اثر یک سیگنال نوری خارجی قرار دارد. با استفاده از روش های نظریه ی اختلال، رفتار سراسری مسیرهای روی چنبره ی جاذب و مسیرهایی که در همسایگی آن قرار دارند را برای این سیستم معادلات، مورد بررسی قرار می دهیم. برای این منظور نظریه ی اختلال برای منیفلدهای پایا را مورد مطالعه قرار می دهیم و نشان می دهیم یک منیفلد انتگرالی برای این سیستم...

لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر د...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

چکیده ندارد.