نتایج جستجو برای: مدارهای دیجیتال cmos

تعداد نتایج: 23243  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

در این پایان نامه یک مبدل آنالوگ به دیجیتال نرخ نایکوئیست تقریب متوالی 7 بیت با سرعت نمونه برداری 3 گیگا نمونه برثانیه در تکنولوژی 0.18 um cmos ارائه می شود. این مبدل با استفاده از موازی کردن ۱۵مبدل تقریب متوالی طراحی شده است. در مبدل های هر یک از کانال ها از اطلاعات زمانی مقایسه گر ولتاژ برای افزایش سرعت استفاده شده که باعث افزایش 1.6 برابری سرعت آنها گردیده است. همچنین ساختار شبه c-2c بهبود ی...

در این مقاله روشی نوین به منظور ارتقاء حساسیت خط ولتاژ مرجع خروجی در مراجع ولتاژ کم‌توان با ولتاژ تغذیه‌ی پایین ارائه شده است. در توپولوژی جدید پیشنهادی یک مرجع ولتاژ شکاف انرژی در طبقه‌ی اول قرارگرفته و با تغذیه‌ی یک مرجع ولتاژ حرارتی در طبقه‌ی دوم از ولتاژ خروجی طبقه‌ی اول سبب می‌گردد، حساسیت خط به‌طور چشمگیری بهبود یابد. ساختار ارائه شده نسبت به مدارهای مشابه از حساسیت خط بهتر و در حدود 0.07...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

زبانهای توصیف سخت‌افزار اولین بار با معرفی زبان اِی‌پی‌اِل، که شرکت آی‌بی‌ام برای مدل کردن و شبیه‌سازی مدارهای دیجیتال این شرکت ارائه کرده بود، به‌وجود آمدند. پس از آن در اوایل دهه‌‌‌ 1970زبانهای توصیف سخت افزار دیگری مانند اِی‌اچ‌پی‌ال که از اِی‌پی‌اِل سرچشمه گرفته بود و دیگر زبانهای توصیف در سطح انتقال ثبات به عرصه ظهور رسیدند. زبانهای سطح ثبات با به‌وجود آمدن وی‌اچ‌دی‌اِل در دهه 1980 به رسمیت رسید...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1388

در این رساله یک ابزار cad به منظور طراحی و بهینه سازی مدارهای مجتمع rf، پیاده سازی شده است. مسأله مهم در طراحی مدارهای مجتمع rf در تکنولوژی cmos، توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور، خازن و سلف های مجتمع آن است و این مسأله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند. یک ویژگی مهم این ابزار استفاده از مدل های دقیق عناصر با توجه به جانمایی آنها و در نظر گرفتن کلیه عناصر پارازیتیک در طراحی است لذا جواب بدس...

ژورنال: :فصلنامه آموزش مهندسی ایران 2014
زین العابدین نوابی شیرازی سمیه صادقی کهن

زبانهای توصیف سخت­افزار اولین بار با معرفی زبان اِی­پی­اِل، که شرکت آی­بی­ام برای مدل کردن و شبیه­سازی مدارهای دیجیتال این شرکت ارائه کرده بود، به­وجود آمدند. پس از آن در اوایل دهه­­­ 1970زبانهای توصیف سخت افزار دیگری مانند اِی­اچ­پی­ال که از اِی­پی­اِل سرچشمه گرفته بود و دیگر زبانهای توصیف در سطح انتقال ثبات به عرصه ظهور رسیدند. زبانهای سطح ثبات با به­وجود آمدن وی­اچ­دی­اِل در دهه 1980 به رسمیت رسید...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده مهندسی برق 1381

پس از بازنگری کلی بر تکنولوژی soi مدل و ترانزیستورهای soi و انواع روش های تبدیل سیگنال آنالوگ به دیجیتال مورد بررسی قرار می گیرد. در ادامه با طراحی زیرمدارهای مبدل a/d فلاش سه بینی اثر تکنولوژی soi بر این مدل بررسی می شود. مدل های soi بکاررفته از دانشگاه برکلی و پارامترهای آنها از دانشگاه فلوریدا تهیه شده و شبیه سازی مدارات بوسیله نرم افزار pspice5.0 و spice-opus انجام شده است. براساس شبیه سازی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

پیشرفت روزافزون فناوری دیجیتال، همراه با کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها از یک سو سبب افزایش قابلیت¬های متعدد این نوع مدارها شده است و از سوی دیگر آسیب¬پذیری آن¬ها را در برابر سازوکارهای خرابی از جمله اشکال¬های گذرا بیشتر کرده است. به فرض اعمال نویز گذرا در مدارهای منطقی، برآورد احتمال بروز خطای گذرا در خروجی مدار از جمله موارد ضروری در طراحی آن¬ها به ویژه در فناوری¬های جدید مدارهای مجتمع می¬باشد. ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1392

کاهش سریع اندازه عناصر ‏cmos‏ نگرانی های جدیدی در رابطه با قابلیت اطمینان ‏ مدارها ایجاد کرده ‏است که از مهمترین اینها می توان پدیده ناپایداری ناشی از بایاس منفی و دما ‏‎(nbti)‎ ‏ را نام برد. این ‏پدیده ترانزیستورهای ‏pmos‏ را تحت تأثیر قرار می دهد و سبب افول عملکرد ‏ مدار می شود. بعد از ‏nbti، پدیده‎ ‎های تزریق حاملهای داغ‎(hci) ‎ ‏ و شکست دی الکتریک وابسته به زمان ‏‎(tddb)‎ ‏ نیز تأثیر ‏بسزای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1390

با توجه به سرعت پیشرفت و حرکت تکنولوژی به سمت مدارهای فشرده تر، لزوم داشتن سیستم هایی با مصرف توان و مساحت کمتر، بیش از پیش احساس می شود. بنابراین در طراحی سیستم های دیجیتال سعی در انتخاب پیاده سازی هایی است که مصرف توان و مساحت کمتری داشته باشند. ضرب کننده ها نیز که یکی از بلوک های پرکاربرد مدارهای دیجیتال هستند از این قاعده مستثنی نمی باشند، بنابراین در انتخاب نوع پیاده سازی آن ها که به صورت ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید