در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه سازی رشد لایه های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (a) و ناخالصی(c) می پردازیم و نمای مقیاسی رشد  و نمای مقیاسی زبری  را به دست می آوریم و آن ها را با کلاس جهانی ارائه شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (kpz) مقایسه می کنیم. نتایج به دست آمده وجود یک احتمال بحرانی  را نشان می دهند، به گونه ای که به ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جها...

در تحقیق حاضر پوشش عضلانی جدار ایلیوم سگهای سالم با استفاده از میکروسکوپهای الکترونی انتقالی و نوری بررسی شد. در 5 قلاده سگ ماده بالغ و سالم با رعایت شرایط استریل و تحت بیهوشی عمومی عمل لاپاراتومی انجام شد و انتهای ایلیوم در معرض دید قرار گرفت و دو نمونه از آن برای مطالعات میکروسکوپهای نوری و الکتورنی برداشته شد. بر روی نمونه های اول مراحل کار عملی بافت شناسی عمومی به عمل آمد و برشها با روش رنگ...

سابقه و هدف: باتوجه به اهمیت سرطان دهانه رحم درخانم ها و تشخیص زودرس آن و همچنین موارد بالای منفی کاذب پاپ اسمیر معمولی درغربالگری این بیماری، در سالیان اخیر مطالعات فراوانی جهت یافتن تست مناسبتر انجام شده است. تست های سیتولوژی بر پایه مایع ازجمله روش لایه نازک برپایع مایع بیشترین پتانسیل را درکاهش موارد منفی و بهبود کیفیت نمونه داشته اند. هدف از مطالعه حاضر، مقایسه اسمیر پاپانیکولائو لایه نازک...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...

با توجه به نظریه انعکاس و کاربردهای فراوان آینه، می توان به آینه های با پوشش‏های لایه نازک، فلز- دی الکتریک دست یافت. از این رو در این مقاله بادر نظر گرفتن رهیافت فوق و با استفاده از مواد جدید،آینه ای با حداکثر بازتاب نزدیک به 100% و با بستره‏ای از جنس فلز آلومینیوم ساخته شده است. آینه‏ی فلزی ساخته شده یک انعکاس دهنده‏ی بسیار خوب در بازه طول موجی 3 تا 5 میکرومتر می باشد.لایه واسط مطلوب برای لای...

چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...

اکسید-دوتائی sio2-tio2 دارای ویژگی ها و خواص مناسبی است که باعث شده تا این ماده کاربردهای مختلفی در صنعت داشته باشد. از جمله کاربردهای این اکسید دوتائی می توان به کاربرد آن در زمینه های مختلف مانند صنایع اپتیکی، ساخت موجبرهای اپتیکی، حسگرها و سلول های خورشیدی اشاره کرد. به همین علت تحقیقات متعددی در دهه های اخیر در مورد خواص و روش های ساخت لایه نازک آن صورت گرفته است. در این پایان نامه، ابتدا...

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دما...

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت ...