در این پژوهش کرات مزومتخلخل اکسید قلع ( SnO2 ) با استفاده نانوذرات پلی‌استایرن ( PS ) و سورفکتانت کاتیونی CTAB سنتز شد. تاثیر دما، اتمسفر و رژیم حرارتی کلسیناسیون بر مورفولوژی ذرات حاصل مورد بررسی قرار گرفت. کرات مزومتخلخل SnO2سنتز شده با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM )، آنالیز جذب و واجذب نیتروژن، پراش اشعه ایکس و طیف‌سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز مورد بررسی قرار گرفتند...

در این تحقیق، لایه سولفید روی و سولفید روی آلاییده به قلع به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بستر شیشه ای تهیه شد. اثر غلظت zn در محلول اولیه، دمای بستر و آهنگ اسپری بر روی خواص ساختاری لایه ها بررسی شد. سپس دو دسته لایه سولفید روی آلاییده به قلع در دو دمای مختلف °c450 و °c550 تهیه شد. نسبت اتمی قلع به روی x=[sn]/[zn] در درصدهای 0%-5%-10%-15% و 20% در محلول اسپری تعیین شد. آنالیز پراش پرتو x تشکیل ...

چکیده ندارد.

در این مقاله، نحوه ساخت و ارزیابی حسگرهای گاز مبتنی بر لایه نازک اکسید قلع نانوساختار به دو روش تبخیر گرمایی (نوع i) و کَند و پاش (نوع ii) نسبت به اتانول بررسی شده است. لایه نازک اکسید قلع برروی زیرلایه هایی از ویفر سیلیکن ایجاد و برروی آن ها عملیات حرارتی انجام شد. با استفاده از روش های ساختارسنجی و تحلیل مختلف sem)، afm، xrd و (eds ریزساختار بدنه های نیمه هادی مورد ارزیابی قرار گرفت. تصاویر se...

در این پایان نامه آنتن ریزنوار ساخته شده از رسانای شفاف و مشبک مورد بررسی قرار گرفته است. رسانای شفافِ اکسید قلع آلاییده شده به فلوئور به روش اسپری پایرولیزیز لایه نشانی شده و لایه های با شفافیت بالا (در حدود 85 تا 90 درصد) و مقاومت صفحه ای پائین (درحدود ?/? 7/6 تا 25) بدست آمده است. آنتن ریزنوار با پچ شفاف و صفحه زمین از آلیاژ برنج برای فرکانس های 5/2 و 5 گیگاهرتز ساخته شده، تطبیق امپدانس مناسب...

در این مطالعه، نانو ذرات قلع دی اکسید، قلع دی اکسید دوپه شده با مس، قلع دی اکسید دوپه شده با نیکل، مس مونو اکسید دوپه شده با قلع، نیکل اکسید دوپه شده با قلع، مس مونو اکسید و نیکل اکسید بهروش سولوترمال و هیدروترمال، در دمای 180 درجه سانتی گراد تهیه گردید. در این روشها نیاز به تنظیم ph، سورفکتانت و دمای بسیار بالا نبوده و اثر دوپه شدن بر ساختار و خواص نوری نانو ذرات پایه مطالعه شد. نانو ذرات حاصل...

اکسید قلع، نیمه رسانای نوع-n با گاف نواری پهن می باشد. این مواد در شکل فیلم نازک دارای مقاومت الکتریکی پایین ، تراگسیلندگی بالا در ناحیه مرئی و بازتابندگی مناسب در ناحیه فروسرخ می باشد . همچنین به علت پایداری خوب در تکنولوژی الکترونیک نوری نظیر پوشش های بازتابنده ، فیلتر های uv و ir ، لایه های حرارتی ، الکترودهای شفاف در سلول های خورشیدی ، نمایشگر های صفحه تخت و نیز به عنوان سنسور های گازی مورد...

اکسید روی یک نیمرسانای با شکاف نواری پهن (ev37/3) است که در ابزارهای الکترواپتیکی ولتاژ پایین و طول موج کوتاه از قبیل دیودهای نورده و لیزرها کاربرد دارد. آلائیده کردن نیمرساناها با برخی عناصر یک شیوه موثر تعدیل خواص الکتریکی، اپتیکی، ساختاری و مغناطیسی است که برای کاربردهای عملی مورد نیاز است. در این کار تحقیقاتی، تأثیر تغییر درصد آلائیدگی عنصر آهن بر نانوذرات اکسید روی مورد بررسی قرار گرفته اس...