در این مقاله، به منظور بهبود عملکرد آنتن های ماهواره، استفاده از سطوح با امپدانس بالا پیشنهاد می شود. سطوح با امپدانس بالا اغلب با نام هادی های مغناطیسی مصنوعی شناخته می شوند. هادی مغناطیسی طراحی شده، شامل آرایه ای از سطوح انتخابگر فرکانسی jc-fss است که با چهار پایه رسانا به صفحه زمین متصل می شود. کلیه قطعات رسانای آن از جنس آلومینیوم و دی الکتریکی از نوع آرلون ای دی 270)(arlon ad 270است که فضا...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه-هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. یکی از قدر...

میرزا هادی سمرقندی (1246- 1309ق/1830- 1891م) از شاعران صاحب دیوان قرن سیزدهم و نیمه نخست قرن چهاردهم قمری/ قرن نوزدهم میلادی در ماوراء‌النّهر است. دوران زندگی این شاعر عزلت‌پیشه، مصادف با فرمانروایی خانهای قُنقُرات در خوارزم، مَنغیت در بخارا، مینگ در خوقند و پادشاهان قاجار در ایران است. درباره زندگی و شعر این شاعر نازک‌خیال اقوال متناقض، بل نادرستی در منابع مؤلّف در آسیای میانه قرن بیست نوشته شده و ...

سوئیچ های نانوالکترومکانیک مشابه سوئیچ های نیمه هادی معمولی اند اما اصول عملکرد سوئیچ های نانوالکترومکانیک ونیمه هادی با هم متفاوت می باشد. با توجه به وضعیت بهینه ای که در فناوری سوئیچ های نانو الکترومکانیک وجود دارد می توان آنها را جایگزین فناوری نیمه هادی ها کرد. نکته قابل توجه در این فناوری این است که در ساختار سوئیچ های نانو الکترومکانیک نانولوله های کربنی نقش مهمی را ایفا می کنند چرا که دا...

بررسی تقاضاهای تکنولوژی gsi و ulsi حاکی از نیاز ساختارهای چند لایه به کاهش زمان تأخیر انتقال علائم بین سیستمهای نیمه هادی است. این کاهش با استفاده از یک فلز هادی خوب مانند مس و یک غیر هادی کم ظرفیت تر از آنچه هم اکنون استفاده می شود مانند سیکلوتن ممکن است.در این مقاله نتایج حاصل از چسبندگی پوشش تبخیری و پراکنشی مس روی سیکلوتن 3022 بررسی می شود. پس از ارائه واکنشهای فصل مشترک فلز و پلیمر که رابط...

در این مقاله، به‌منظور بهبود عملکرد آنتن‌های ماهواره، استفاده از سطوح با امپدانس بالا پیشنهاد می‌شود. سطوح با امپدانس بالا اغلب با نام هادی‌های مغناطیسی مصنوعی شناخته می‌شوند. هادی مغناطیسی طراحی‌شده، شامل آرایه‌ای از سطوح انتخابگر فرکانسی JC-FSS است که با چهار پایة رسانا به صفحة زمین متصل می‌شود. کلیة قطعات رسانای آن از جنس آلومینیوم و دی‌الکتریکی از نوع آرلون ای‌دی 270)(Arlon AD 270است که فضا...

با کشف مدارات مجتمع، پیشرفت های خیره کننده ای در چهار دهه، در فناوری های الکترونیکی که بر اساس سیلیکون کار می کردند، اتفاق افتاد. این فرآیند در ابتدا توسط پشتیبانی از ترانزیستورهای ماسفت در ابعاد فیزیکی کوچک بدست آمد که در نهایت منجر به تولیدات موفقیت آمیز بسیاری در ساخت ادوات شد که باعث افزایش چگالی و بهبود عملکردی ترانزیستورها گردید. بیشتر کارشناسان بر این باورند که اگر همین مسیر مقیاس را ادا...

ساختار بلوری نانوذرات قلع(ii) سولفید و قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن، روی بلاند بود. نانوذرات قلع(ii) سولفید رفتار دیامغناطیس و نانوذرات قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن(ii) رفتار فرومغناطیس نرم دارند. میانگین اندازه نانوذرات قلع(ii) سولفید، sn0.9fe0.1s و sn0.8fe0.2s به کمک روش xrd به ترتیب 12.6، 9.8 و 8.5 نانومتر محاسبه شد. اندازه فاصله انرژی با استفاده از روش uv-vis، در نانوذرات قلع(ii) سولفید، ...

در شبکه های مخابرات نوری، تقویت کننده های نوری نیمه هادی عنصر بسیار مهمی بحساب می آیند.از میان انواع مختلف این تقویت کننده ها، تقویت کننده نوری نیمه هادی انعکاسی، به دلیل دارا بودن خصوصیاتی از جمله نرخ خاموشی و بهره نوری بیشتر از اهمیت بسزایی برخوردار است. پالس های انتشاری در محیط تقویت کننده توسط مجموعه ای از معادلات دیفرانسیلی غیر خطی کوپل شده رفت و برگشتی توصیف می شوند که برای حل آنها از رو...