نتایج جستجو برای: قطعات نازک

تعداد نتایج: 12700  

در این مقاله پس از ساخت لایه های  نازک TiO2 و ZrO2 بر روی زیر لایه BK7 به روش تبخیر با باریکه الکترونی، طیف عبوری  UV-visible از لایه ها تهیه شده است. با استفاده از طیف عبوری، ضریب شکست لایه ها به دست آمده است. تصاویر AFM از لایه های نازک TiO2و ZrO2 تهیه شده است. اندازه‌گیری پراکندگی این لایه های نازک با روش پراکندگی تجمعی کلی یا TIS و روش AFM انجام شده است. همچنین، مقادیر زبری سطح و تخلخل و هد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه محقق اردبیلی - دانشکده علوم 1392

امروزه بسیاری از قطعات مدرن و پیچیده نوری، الکتریکی و الکترونیکی به¬صورت لایه نازک ساخته می¬شوند. در بین لایه¬های نازک رسانا، لایه¬های نازک نقره به علت قیمت مناسب، رسانایی بسیار زیاد و انعکاس نور بالا، یکی از پرکاربردترین نوع لایه¬ها هستند. دراین تحقیق، لایه¬های نازک نقره بر روی زیرلایه اکسید ایندیم-قلع با روش تبخیر فیزیکی بمباران پرتو الکترونی و روش رسوب¬گذاری الکتروشمیایی تهیه شدند. در روش تب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم پایه 1392

موادی که انرژی گرمایی را به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند به عنوان مواد ترموالکتریک شناخته می شوند که در ساخت قطعات ترموالکتریک از قبیل ژنراتورها و خنک کننده ها استفاده می شوند که دارای مزایایی از قبیل نداشتن هیچ بخش متحرک و سازگار بودن با محیط زیست هستند. عملکرد ترموالکتریکی مواد و قطعات ترموالکتریکی با کمیتی به نام ضریب ارزشی (zt) مشخص می شود که zt = (α2ϭ/k)t که در آن، ضریب سیبک (α) و رسانندگی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1389

با کوچکتر شدن اندازه قطعات نیمه هادی به کمتر از 100 نانومتر، اثرات مکانیک کوانتومی در کارایی قطعه، خود را نشان می دهد. از اینرو محاسبات مربوط به مشخصه های جریان– ولتاژ ترانزیستور لایه نازک آلی بسیار پیچیده می شود. در این پایان نامه، مدل سازی ترانزیستور لایه نازک آلی با استفاده از شبکه های عصبی مصنوعی انجام شده است. این مدل سازی بر اساس داده های تجربی با بهره گیری از شبکه های عصبی مصنوعی می ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد - دانشکده برق 1392

یکی از ملزومات مربوط به انتخاب یک قطعه الکترونیکی قدرت مناسب برای یک مبدل این است که قطعه باید دارای مقاومت درونی ویژه پائین باشد. مقاومت درونی ویژه ی قطعه دوقطبی به عرض بیس و غلظت ناخالصی ناحیه رانش دارای ناخالص کم ،وابسته است . این بدین معنی است که غلظت ناخالصی و عرض ناحیه بیس کم غلظت در یک قطعه دوقطبی باید با دقت بسیار زیاد تعیین شود تا بتوان به یک ولتاز شکست بهمنی و مقاومت درونی مطلوب دست ی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بیرجند - دانشکده مهندسی 1392

این پژوهش شامل دو بخش است. در بخش اول به مطالعه و بررس تاثیر پارامترهای فرآیند فرزکاری بر روی متغیرهای زبری سطحی و دقیت ابعادی قطعات جدار نازک از جنس آلیاژ آلومینیوم 7075 پرداخته شده است. در این بخش از روش طراحی آزمایش تاگوچی به منظور جم آوری داده ها استفاده گردید. سپس آنالیز واریانس جهت تحلیل داده های جمع آوری بکار برده شد. در بخش دوم با استفاده از روش بهینه سازی الگوریتم زنبور – انفیس ، شرا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده کشاورزی 1389

چکیده ‏ این تحقیق جهت بررسی پاسخهای ریخت زایی ریزنمونه های لایه نازک سلولی و هیپوکوتیل به ‏غلظتهای مختلف 2‏ip‏ و ‏iaa‏ انجام شد تا (تولید کالوس، شاخساره و ریشه) در شرایط آزمایشگاهی ‏بررسی شود. بذرهای رقم تجاری گوجه فرنگی سوپرچیف پس از ضد عفونی در محیط کشت بدون هورمون کشت شدند. تقریباً ‏‏7 الی 10 روز پس از کشت بذر ریزنمونه لایه نازک سلولی هیپوکویل به طول 3/0 الی 5/0 میلی متر و ریزنمونه ‏هیپوکوت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1391

موادی که انرژی گرمایی را به انرژی الکتریکی و بر عکس تبدیل می کنند به عنوان مواد ترموالکتریکی شناخته می شوند. این مواد در ساخت قطعات ترموالکتریک از قبیل ژنراتورها و خنک کننده ها استفاده می شوند که دارای مزایایی از قبیل نداشتن هیچ بخش متحرک و سازگار بودن با محیط زیست هستند. عملکرد ترموالکتریکی مواد و قطعات ترموالکتریک با کمیتی به نام ضریب ارزشی ترموالکتریک که با z نشان داده می شود و به صورت z = ?...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1376

قطعاتی لایه نازک به شکل cu-sio-cu و ag-sio-ag با استفاده از روش تبخیر حرارتی در خلاء (در حدود 10-5 تور) بر روی بسترهای شیشهای از نوع کرنینگ ساخته شدند. ضخامت لایه دی الکتریک در این قطعات بین 1000 تا 4500 و الکترودها از 1000 تا 2000 آنگستروم متغیر بود. پرتونگاری ایکس از لایه دی الکتریک نشان می دهد که ساختار این لایه ها به صورت بی شکل (amorphous) است . مشخصه جریان - ولتاژ نمونه های با الکترودهای ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
غلامرضا نبیونی gholamreza nabiyouni department of physics, university of arak, iranگروه فیزیک دانشگاه اراک

در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای ni و cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (xrd) تعدادی از لایه های نازک ni/cu بیانگر ساختار چند...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید