در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...

هدف تحقیق حاضر بررسی طیف فونونی ساختارهای ساده ای مانند زنجیره های اتمی و با استفاده از آن، تعیین کمیتهای ترمودینامیکی ساختارهای مختلف با ساختار پایه ای مکعبی ساده و مقایسه ی این کمیت ها بین اندازه های نانومتری و اندازه های بزرگتر است. مدهای ویژه ی سامانه های مورد نظر با استفاده از تقریب هماهنگ برای پتانسیل و روش ماتریس انتقال تعیین می شوند. سپس با استفاده از روابط آماری استاندارد برای بوزون ها...

  به کمکِ تقریبِ دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون‌های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه‌ای از جنس GaAs در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می‌دهند. با افزایشِ بردارِ موج ( )، بسامدِ هر یک از مدهای فونونی به بسامدِ یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می‌شود.

در این پ‍ژوهش فرآیند، ساخت و عملکرد دستگاه اندازه‌گیری ضریب هدایت گرمایی چوب، با نوآوری استفاده از لوله‌های گرمایی صفحه تخت،‏‏ تشریح و ارزیابی می‌شود. ضریب هدایت گرمایی در این دستگاه بنابه قانون فوریه و برابر با آیین نامه ASTM[1] C177 ، در چندین شار گرمایی به دست می‌آید. سپس بارسم نمودارِ تغییرات ضریب هدایت گرمایی برحسب دمای میانگین، می‌توان به معادله‌ای برای یافتن ضریب هدایت گرمایی آزمونه درمحد...

مطالعه رسانایی الکتریکی در سیستم های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسائل در فیزیک نانو ساختار است. در سالهای اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطه‏های کوانتومی، سیم‏های کوانتومی و سیم‏های مولکولی وجود داشته است. در اکثر موارد به منظور بررسی رسانش، رسانایی به روش لانداور محاسبه می شود. این روش بیان می کند که رسانایی یک سیستم تک کاناله در دمای صفر و بایاس صفر درست برابر ضریب رسانش اس...

با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور BaWO4 به‌دست آمده‌اند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن به‌دست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطه‌ای C4h، مدهای فونونی برحسب گونه‌های تقارنی ...

در این پایان نامه اثر رسانش گرمایی با وارد کردن فرایند پخش دوقطبه در حالت تحت غلبه پهن رفت بررسی شده است. معادلات هیدرودینامیک را در مختصات کروی نوشته و از وشکسانی مدل الفا استفاده کردیم.

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در بیشتر کارخانه‏ها، برج‏های خنک‏کن جزء کاربردی‏ترین تجهیزاتی هستند که برای حذف حرارت اضافی در فرایند و پس‏دادن آن به محیط استفاده می‌شوند. مقالۀ حاضر یک مرور اجمالی بر روش‏های نوین در حوزۀ تأثیر انواع نانوسیالات بر بهبود خواص حرارتی و کاهش میزان هدررفت آب است. نانوسیالات می‏توانند خواص حرارتی همچون ظرفیت گرمایی ویژه و ضریب رسانش حرارتی را بهبود بخشند و سبب افزایش ویسکوزیته و چگالی در مقایسه با...