نانوذرات نیم رسانا دارای ویژگی های نوری منحصر بفردی هستند که به شدت به اندازه شان وابسته است. سلنید روی از جمله این نانو بلورهای نیم رسانا است که ضمن غیرسمی بودن مواد اولیه، به علت قابلیت تنظیم اندازه و پهنای گاف انرژی آن، گستره ی نورتابی آن از طول موج های فرابنفش و آبی تا نزدیک طول موج های قرمز تغییر می کند. در این پژوهش ساخت نانوذرات znse با استفاده از روش های آبی و تابش امواج ماکروویو صورت گ...

گرافین یک نیمه رسانا با گاف انرژی صفر است. با وجود اینکه خاصیت ابررسانایی ذاتاً در گرافین وجود ندارد اما می¬توان این خاصیت را با استفاده از اثر مجاورت در آن القا کرد. طبق نتایج بیناکر در رسانندگی اتصالات با پایه گرافین در کنار پدیده¬ی انعکاس معمول آندریف، انعکاس آینه ای آندریف هم اتفاق می¬افتد که باعث تغییرات قابل توجهی در نمودارهای رسانندگی می¬شود. نوع جفت شدگی که توسط ابررسانای بکار رفته در اث...

نقطه کوانتمی یا ساختار شبه صفر بعدی، یکی از سیستم های کوانتمی نیم رسانا است که در آن حرکت حامل های بار در تمام راستاهای فضایی محدود می باشد. این محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترون ها در نوار رسانش شده، خصوصیات فیزیکی این سیستم های نیم رسانا را دگرگون می سازد. بررسی خواص الکترونی و اپتیکی نقطه های کوانتمی نه تنها از دیدگاه نظری بلکه به علت کاربرد وسیع آنها در ساخت لیزرهای نیم رسا...

در این پایان نامه اثر اندازه بر خواص لیزرهای نقطه ی کوانتومی مخروطی ـ شکل inas/gaas با لایه¬ی خیس بررسی شد. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره¬گیری از تقریب جرم موثر، معادله¬ی تک نواری شرودینگر برای دو دسته نقطه¬ی کوآنتومی مخروطی ـ شکل با لایه ی خیس حل و توابع موج و ترازهای انرژی پایه، برانگیخته¬ی اول و برانگیخته ی دوم (تراز لایه ی خیس) به دست آمدند. سپس با استفاده از تابع موج ...

لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی یک محیط، یک اصل اساسی در پاسخ ماکروسکپیک محیط به میدانهای الکترومغناطیسی می باشد. اخیرا دسته دیگری از عناصر با ویژگی خاص اپتیکی ساخته شده اند.این مواد که به مواد مغناطیسی چپگرد(lhm ) معروف شده اند قطعا نقش مهمی را در آینده تکنولوژی بشریت بازی خواهند کرد. به عبارت دیگر مواد چپگرد موادی هستند که خواص الکترومغناطیسی آنها با خواص الکترومغناطیسی مواد موجود در طبیعت...

توسعه ی سوئیچ های کاملاً نوری که در آن ها باریکه های خروجی به وسیله ی یک باریکه ی سوئیچ کننده ی ضعیفتر کنترل می شود با اهمیت می باشد. همچنین اگر باریکه های خروجی از باریکه های ورودی قوی تر باشند یک مزیت برای سوئیچ بشمار می رود. زیرا این خصوصیات سوئیچ را دارای قابلیت چیدمان آبشاری می نمایند، یعنی خروجی یک سوئیچ می تواند برای راه اندازی سوئیچ بعدی بکار برده شود. این خصیصه لازمه ی کاربرد سوئیچ در...

نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است. در این پایان نامه، در فصل اول به طور اجمالی در مورد صنایع اسپینترونیک و کاربرد آن مطالبی ارائه گردیده است و سپس در فصل دوم خواص عمومی و فیزیکی مواد مطالعه شده در این کار بررس...

از معادلات لانگ- کابایاشی میتوان برای توصیف دینامیک لیزرهای نیمه¬رسانا با کاواک خارجی استفاده کرد. لیزرها اساسا سیستم¬های آشفته¬ی توصیف شده با معادلات دیفرانسیل غیر¬خطی به همراه سه متغیر بوده و انواع غنی از دینامیک¬های آشفته را نشان می¬دهند. در این پایان¬نامه برنا¬مه¬های کاربردی از لیزر نیمه¬رسانای آشوبناک، کنترل و سرکوب سروصدای لیزر بر اساس الگوریتم کنترل آشوب ارائه شده است. در اینجا روش جدیدی...