. بلور مایع جزو مواد ناهمسانگرد بوده که ثابت دی الکتریک آن بصورت تانسوری می باشد و تحت تاثیر عوامل خارجی مانند میدان الکتریکی تغییر می کند. در این پایان نامه به منظور تنظیم پذیری الکتریکی مدهای موجبری، از بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه های مربعی و مثلثی ساخته شده از حفره های هوا در زمینه آلومینا استفاده شده است که یک ردیف از حفره های هوا توسط بلور مایع نماتیک پر شده اند. مشخصه عمومی بلور مایع ن...

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...

در این پایان نامه، ساختار لیزر فیدبک توزیع شده (dfb) بر مبنای بلور فوتونی (phc) بررسی شده و راه هایی برای بهبود مشخصات آن بیان شده است. ابتدا یک ساختار لیزر نیمه رسانای تک چاه کوانتومی را در نظر گرفته و کلیه مشخصات آن را شبیه سازی نموده و سپس با افزایش تعداد چاه ها به چهار عدد، رفتار لیزر را شبیه سازی نموده ایم. عملکرد لیزر از لحاظ طیف طول موج، میزان چگالی فوتون پرتو خروجی و میزان مصرف توان، بر...

در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده شده در این مقاله از میله های استوانه ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول موج گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...

انتشار نور در محیط های با سرعت گروه کاهش یافته نور کند نامیده می شود. با انتشار نور در چنین محیط هایی پالس های نور خروجی به دلیل اثرات پاشندگی دچار اعوجاج می شوند. موجبرهای بلور فوتونی یکی از مجراهای شگفت انگیز کنترل نور هستند. استفاده از موجبرهای بلور فوتونی در سیستم های نوری منجر به پیشرفت های گسترده در مدارهای مجتمع تمام نوری شده است. با مهندسی پاشندگی در موجبرهای بلور فوتونی می توان اعوجاج ...

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه گاف نوار فوتونی نامیده می شود. بلورهای فوتونی یک بعدی ساختارهای دی الکتریکی هستند که خصوصیات اپتیکی-شان در یک جهت تغییر می کند، این جهت محور تناوبی نامید...

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

روش های مختلفی برای به دست آوردن ساختار باند بلورهای فوتونی وجود دارد که در فصل اول به روش هایی مانند ماتریس انتقال، روش بسط بر حسب امواج تخت و روش تفاضلات متناهی حوزه ی زمان (fdtd) اشاره کرده ایم و در فصل دوم، روش محاسبه ی گاف باندهای یک بلور فوتونی را با استفاده از روش ضرایب فرنل به طور مفصل شرح داده ایم و سپس در فصل سوم، نتایج حاصل را با نتایج به دست آمده از روش ماتریس انتقال مقایسه نموده ایم.

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. بلورهای فوتونی از لایه های متناوب از مواد که ثابت دی الکتریک آنها باهم متفاوت هستند، تشکیل شده است. مشخصه ی اصلی بلورهای فوتونی، دوره ای بودن ثابت دی الکتریک در آنهاست. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه ی فرکانسی در بلور می شود، بطوریکه امواج الکترومغناطیسی ای که با فرکانس م...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...