در سال های اخیر سرامیک های بر پایه خانواده( cacu3ti4o12 (ccto به سبب داشتن ثابت دی الکتریک بالا به منظور به کارگیری آنها در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است. ساختار ccto به صورت پرووسکایت مکعبی حجم مرکز دار با گروه فضایی im3 تا دماهای پایین 35 درجه کلوین می باشد. برخی از این ترکیبات ثابت های دی الکتریک تا مقادیر بالای 100000 را در دمای اتاق در گستره فرکانس بین ...

از آرایه های تخلیۀ سدّ دی الکتریک برای کنترلِ پدیده های مختلفِ آئرودینامیکی از جمله کنترلِ جداسازی جریان استفاده می شود. به منظورِ کنترلِ این پدیده ها توسّطِ تکانهِ تولیدی محرّک ها نیاز به تعیینِ ولتاژِ بیشینۀ تخلیۀ لازم برای تولید تکانه است. در روش پردازش تصویر با استفاده از شعله های پلاسما و پارامترهایی از جمله طول و شدّتِ نور آن می توان بیشینۀ تکانهِ تولیدی و به تَبَع آن ولتاژِ بیشینۀ تخلیه را به دست آورد. مز...

سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی های متعددی روبه رو می شود. برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی و رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها ، چندین روش موجود می باشد که یکی از آن ها بکارگیری امواج مایکروویو است. در این تحقیق با استفاده از امواج مایکروویو و اندازه گیری ثابت دی الکتریک برای تشخیص خرابی های داخلی سه رقم سیب زمینی ( آگری...

به این منظور، در فصل اول به شرح چگونگی ایجاد کربن نانوتیوبها و نیز مفاهیم اپتیکی آنها پرداخته شده است. در فصل دوم با استفاده از مدل تنگ بست قوی، خواص الکتریکی کربن نانوتیوبهای زیگزاگ و آرمچیر بررسی شده است. در ادامه خواص اپتیکی و تاثیرات حضور میدان مغناطیسی خارجی بر روی آنها بررسی شده است. در فصل سوم کربن نانوتیوبهای تک دیواره زیگزاگ و آرمچیر را به صورت استوانه سه بعدی در نظر گرفته ایم و پذیر...

اکسید روی نیم رسانایی از گروه دو - چهار است. سفید رنگ و دارای شفافیت بالاست. و یکی از غنی ترین نانو ساختار ها می باشد. مصرف زیاد اکسید روی مربوط به عایق بودن آن در مقابل الکتریسیته، ظرفیت حرارتی بالا و چسبندگی خوب و داشتن ثابت دی الکتریک متوسط است. اکسید روی سه مزیت عمده دارد: نیم رسانایی با شکاف 3.37ev و میزان انرژی برانگیختگی 0.6 میلی الکترون ولت است. و نشر نزدیک ماوراء بنفش دارد. پیزوالکت...

در این تحقیق تعداد پنج زیرلایه از جنس bk7به قطر 54/2 میلیمتر و ضخامت 4 میلیمتر تهیه شده و تحت عملیات سایش و پولیش یکسان قرار گرفتند تا دارای کیفیت سطح یکسان (کیفیت سطح /4?) گردند. سپس آنالیز تداخل سنجی و اسپکتروفوتومتری بر روی آنها صورت گرفت تا کیفت سطح هر نمونه و میزان بازتابش آنها پیش از لایه نشانی مشخص گردد. زیرلایه ها شامل 11 لایهtio2 با ضریب شکست 25/2 هر کدام به ضخامت 118 نانومتر و 10 لایه...

محاسبه آهنگ واپاشی یک اتم و یا مولکول برانگیخته در نزدیکی یک تیغه دی الکتریک به دو روش متفاوت بررسی می شود. روش اول: میدان الکترومغناطیسی با استفاده از توابع مد کوانتیزه شده و آهنگ واپاشی اتم برانگیخته با بکار بردن قاعده طلایی فرمی محاسبه می شود. فرض می کنیم که تابع دی الکتریک تیغه یک کمیت حقیقی ثابت است . روش دوم: براساس کاربرد قضیه اتلاف - افت خیز و فرمول کیوبو است . در این روش ، آهنگ واپاشی ...

ایران چهارمین تولید کننده سیب زمینی از لحاظ مقدار تولید است. با توجه به سهم بالای ایران در صادرات و مصرف سیب زمینی در داخل، اهمیت بررسی کیفیت سیب زمینی های تولیدی به صورت پیوسته و در ابعاد وسیع در فرآیند جداسازی این محصول آشکار می شود. سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی-های متعددی روبه رو می شود، که برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی، رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجو...

نظر به مطالعات انجام گرفته در نانو فیزیک، بررسی انرژی آزاد کازیمیر و نیروی مربوط (فرمول لیفشیتز) بین یک لایه گرافین و یک دی الکتریک دارای اهمیت است. ما در ابتدا، بعد از بیان تاریخچه ای مختصر در مورد اثر کازیمیر، انرژی آزاد کازیمیر را بین دو صفحه دی الکتریک محاسبه می کنیم. سپس بعضی از خواص لایه ی گرافین را مطالعه می کنیم و انرژی کازیمیر بین گرافین و یک صفحه دی الکتریک در دمای متناهی t را محاسبه ...

در این پایان نامه ابتدا نانوذرات دی اکسیدتیتانیوم )2(tio با ضخامت 10 نانومتر بر روی زیرلایه ای از جنس کوارتز لایه نشانی شدند و سپس نانوذرات نقره (ag) با ضخامت 40 نانومتر روی دی اکسیدتیتانیوم با روش کندوپاش لایه نشانی شدند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت و برای تابع دی الکتریک این دولایه ای بازه ای بدست آوردیم. خواص ساختاری نقره-دی اکسیدتیتانیوم با الگوی پراش ا...