از بین ساختارهای کوانتومی نیم رسانا، نقاط کوانتومی رفتار جالبی از خود نشان می دهند. یکی از این رفتارهای جالب وجود گذارهای اپتیکی بین زیر نوارها در نوار رسانش است. در آغاز دهه 90 قرن میلادی گذشته به منظور اصلاح انتشار نور درون یک محیط کدر شیوه ای موسوم به شفافیت القایی الکترومغناطیسی ارائه شد. در شرایط پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی که مبتنی بر همدوسی اتمی و تداخل کوانتومی ویرانگر است، با اس...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره‌ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می‌شود، بررسی می‌شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک‌ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی‌های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی‌های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن‌ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...

در این مقاله ضریب عبور الکترونی یک حلقه بنزنی متصل به دو هادی فلزی را در اتصال های پارا و متا، در حضور برهمکنش الکترون ـ الکترون (مدل هابارد) محاسبه می کنیم. برای این منظور از روش تابع گرین و رهیافت تنگ بست در تقریب نزدیک ترین همسایه بهره می جوییم. سپس با توجه به شکل برهمکنش، رسانش را با یک روش عددی خودسازگار به صورت تابعی از انرژی به دست می آوریم. نتایج نشان می دهد که در حضور برهمکنش الکترون ـ...

رفتار حالت هنجار نمونه های 123 gd آلاییده با وانادیوم بررسی شده است. یک گذار فلز به عایق در این نمونه ها در 15/0=x دیده می شود، که با برازش دادن حالت هنجار این نمونه ها با مدل رسانش پرشی با برد متغیر دیده می شود، سازوکار رسانش حالت هنجار این نمونه ها با مدل vrh-2d و cg سازگاری بیشتری دارد و با محاسبه طول جایگزیدگی یک افت شدید در آلایش 15/0=x دیده می شود.

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روشِ تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عددِ اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی‌ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعددِ اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیادِ مقدارِ عددِ اِشغال را به این عوامل نش...

همانطور که می دانیم انرژی پتانسیلی که به شکل یک تابع دلتای دیراک سه بعدی نمایش داده می شود، هیچگونه حالت مقیدی را ایجاد نمی کند در حالی که مدل یکبعدی آن منجر به یک حالت مقید می شود. انرژی پتانسیل به فرم تابع دلتای دیراک سه بعدی اغلب برای توصیف بر هم کنشهای نقطه ای اسپین های الکترونهای رسانش بکار می رود در حالیکه انرژی پتانسیل به فرم تابع دلتای دیراک یکبعدی برای توصیف یک توزیع مسطح (دو وجهی) از ...

ضریب رسانش گرمایی یک عامل بسیار متغیر وابسته به خواص و ساختار سنگها و بسیار مهم برای اندازه گیری شار گرمای زمین محسوب می شود. در این مقاله با معرفی یک دستگاه دو میله که بر اساس شار گرمایی معلوم در یک نمونه سنگ به صورت مانا کار می کند‘ ضریب رسانش گرمایی چند نمونه سنگ از مکانهای مختلف ایران اندازه گیری شده و با مقادیر گزارش شده توسط افراد دیگر مقایسه و بحث می شود. دستگاه مذکور که توسط امکانات مو...

گرافین صفحه‌ای از اتم‌های کربن است که به صورت یک تا چندلایه (حدود ده لایه) خواص دوبعدی خود را حفظ می‌کند. در این بین گرافین سه‌لایه به علت پایداری و فراوانی نسبت به دیگر ساختارها، مورد توجه است. چون تعداد و چگونگی قرارگیری لایه‌ها نسبت به هم خواص ترابردی ماده و طیف پاشندگی را تغییر می‌دهد؛ بنابراین در بررسی گرافین سه‌لایه ساختار برنل ABA به تحلیل هامیلتونی و ساختار نواری آن پرداخته‌ایم. بررسی‌ه...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...