در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات گرافینی گرافین نورمال / گرافین فرومغناطیس / گرافین نورمال که یک الکترود به گرافین فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از گرافین فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با پتانسیل شیمیایی در گرافین فرومغناطیس رابطه دارد و قابلیت تنظیم با ولتاژ گیت را دارد. به طور خاص یک جریان...

ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و برررسی نحوه تشکیل چاه کوانتوم دوبعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می‏پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل‏های موجود ، اثر قطبش خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تاثیر می‏گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه می‏کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می‏توان جریان الک...

در سال های اخیر ترابرد جریان اسپین قطبیده از ساختار های چند لایه ای نیمرسانای غیرمغناطیسی / نیمرسانای مغناطیسی رقیق شده (dms/nms) به دلیل کاربرد آنها در اسپینترونیک توجه زیادی را به خود معطوف کرده است. در این پایان نامه به طور نظری آثار جفت شدگی اسپین- مدار راشبا را روی مغناطومقاومت و قطبیدگی اسپینی ساختار سد دو گانه dms/nms در حضور میدان مغناطیسی بررسی نمودیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ...

امروزه ساختمان های تونلی در سراسر دنیا مورد استفاده هستند و در پروژه های انبوه سازی کاربرد فراوانی دارند. سرعت بالا و کاهش هزینه های اجرایی باعث شده تا طراحی و اجرای این ساختمان ها بیش از گذشته مورد توجه قرار گیرد. در مقایسه با سایر سیستمهای سازه ای، مطالعات انجام شده بر روی ساختمان های تونلی بسیار کم است. در آیین نامه های طراحی سازه ها در برابر زلزله نیز تمهیدات خاصی برای تحلیل و طراحی این قبی...

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

آبشستگی موضعی در اطراف لوله‌ های عبوری از بستر رودخانه­ها به­دلیل تحمیل خسارت­های زیاد اقتصادی، زیست­محیطی و اجتماعی که در پی دارد همواره مورد توجه محققان و طراحان این سازه­ها بوده است. این پژوهش با هدف بررسی جامع­ الگوی جریان، مکانیزم آبشستگی و توسعۀ زمانی چالۀ آبشستگی در اطراف لوله­های مستغرق تحت جریان یک­سویه، در آزمایشگاه تحقیقاتی هیدرولیک و سازه­های آبی بخش مهندسی آب دانشگاه شهید باهنرکرما...

در سرریزهای تونلی که جریان با سرعت بالا و اغلب تحت فشار برقرار می باشد، به دلیل زبری جداره بتنی سرریز و وجود درزها و انحنا در مسیر تونل احتمال جدایش جریان از جداره افزایش یافته و در نتیجه وقوع پدیده کاویتاسیون و تخریبات ناشی از آن محتمل می باشد. هوادهی جریان را یکی از موثرترین روش ها جهت پیشگیری از این پدیده بیان نموده اند. در این تحقیق جریان عبوری از روی رمپ تعبیه شده در کف داکت تحت فشار ب...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...