نتایج جستجو برای: تکنولوژی gaas phemt
تعداد نتایج: 23118 فیلتر نتایج به سال:
This paper presents the design of a dual-band power amplifier (PA) featuring similar performance at 28 GHz and 38 GHz. In new radio (NR) fifth generation (5G) communication system, inter-band carrier aggregation technique is commonly adopted for data rate enhancement. such configuration, operation both bands 5G frequency range 2 (FR2) spectrum often necessary. The stacked-FET topology was mitig...
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروههای III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور میشود. این ساختار به ساختار شبکهی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتمهای آرسنیک یا گالیوم اشغال میشود. از این نیمرسانای استفادهی گستردهای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...
As 10 Gbit/s long-distance optical communication systems become more and more pervasive, requirements rise relating to increased levels of performance, as well as the miniaturization of key devices that configure such systems. Lithium niobate (LN) modulators are used primarily as optical modulators that change high-speed electrical signals at 10 Gbit/s to optical signals for long-distance commu...
گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های iii-v جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...
High electron mobility transistors (HEMTs) based on III–V semiconductor materials have been investigated as these devices are scaled down to gate lengths of 120, 90, 70, 50 and 30 nm. A standard Monte Carlo (MC) method coupled with the solution of Poisson’s equation is employed to simulate a particle transport. The average particle velocity and the field–momentum relaxation time are studied in ...
The firstly commercialized millimeter-wave application was the automotive radar, which appeared nearly 10 years ago, for driving safety support. The market size has been growing year by year and is expected to reach a level of around five million units per year in 2016. With the progress in popularity, the radar has been expected to spread even to general cars, therefore, development of lowcost...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید