نتایج جستجو برای: تریستور گیت خاموش

تعداد نتایج: 1616  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه امام رضا علیه السلام - دانشکده مهندسی برق 1391

طبق قانون moore در سال 2020 اندازه ترانزیستور های روی یک تراشه سیلیکونی به اندازه یک اتم خواهد رسید. چالشی که مطرح خواهد بود این است که در آن زمان به جای قوانین مکانیک کلاسیک، قوانین مکانیک کوانتومی بر رفتار اتم ها حاکم است. بنابراین دانشمندان در سال 1892 پیشنهاد کردند که باید محاسبات را از دنیای کلاسیک کنونی وارد دنیای جدید کوانتومی کرد. محاسبات کوانتومی که دارای قدرت نظری بالایی هستند روی قطع...

حامد کاظم‌زاده غلامحسین زرگری‌نژاد

چکیده چرکس‌ها یکی از اقوام ساکن شمال غرب قفقاز هستند که به زبان چرکسی از شاخه زبان‌های شمال باختری قفقازی (ایبری- قفقازی) سخن می‌گویند. این قوم از تبار قفقازی آدیغه‌ای- آبخازی‌ست که هم‌اکنون در سه جمهوری قفقاز شمالی یعنی جمهوری کاباردینو- بالکاریا (قبارطه- بلغار)، جمهوری کاراچای- چرکسیا (قره چای- چرکس) و جمهوری آدیغه پراکنده‌ هستند. ناحی? چرکسستان که منظور جغرافیای تاریخی چرکس‌ها است، در تاریخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق 1384

در این پایان نامه شبیه سازی یک درایور موتور القایی(مبدل ac/ac) با استفاده از نرم افزار matlab انجام شده است. ساختار مبدل سه سطحی npc که با حفظ کیفیت شکل موج خروجی ولتاژ فرکانس سوییچینگ را به یک چهارم مبدل دو سطحی کاهش می دهد به عنوان قسمت اینورتر در مبدل استفاده شد. سوییچ igct که سرعت خاموش شدن آن حدودا 20 برابر بیشتر از سوییچ gto است به عنوان سوییچ نیمه هادی انتخاب می شود و با تغییر پارامترها ...

بر مبنای تئوری گروه خاموش، قدرت مسلط مردان در جامعه در ساختار مرد-ساخته زبان نیز تبلور دارد و زنان به راحتی نمی‌توانند با این زبان مرد ساخته به بیان خود بپردازند و از این جهت به گروه‌های خاموش تبدیل می‌شوند. هدف این مقاله آن است که دریابیم بر مبنای نظریه گروه‌ خاموش از کرامارا و نظریه رتوریک سلطه از استارهاک، آیا استراتژی‌های سلطه یعنی تسلیم، تمرد، گوشه‌گیری و دستکاری در رمان «چراغ‌ها را من خام...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1392

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

در این پایان نامه، ساختارهایی برای طراحی و پیاده سازی گیت های منطقی تمام نوری بر مبنای بلورهای فوتونی ارائه شده است. ساختار بلور فوتونی، از شبکه ی مربعی دوبعدی از میله های دی الکتریک در بستر هوا، تشکیل شده است. میله ها از دو ماده ی ایندیم فسفاید (inp) و ترکیب خاصی از شیشه های کالکوجناید (chalcogenide glasses) تشکیل شده است. این دو ماده، ضریب شکست یکسانی دارند، اما ضرایب اثر غیرخطی آن ها متفاوت ...

ژورنال: :hormozgan medical journal 0
فرهاد ایران منش f iranmanesh بیمارستان حضرت علی ابن ابیطالب (ع)، بخش مغز و اعصاب، دانشگاه علوم پزشکی رفسنجان، ایران مسعود پورغلامی m pourgholami احمد صیادی a sayadi

مقدمه: سکته مغزی شایع ترین بیماری اعصاب محسوب می گردد و در عین حال شایع ترین علت مرگ و میر و عوارض در بین بیماران مغز و اعصاب را نیز شامل می گردد. با به وجود آمدن روشهای نوین عکس برداری از جمله mri ضایعات عروقی مغزی با دقت بیشتری مشخص می گردد که از این جمله می توان به سکته مغزی خاموش اشاره کرد. در مطالعه حاضر، فراوانی سکته مغزی خاموش در بیماران مبتلا به سکته مغزی حاد ترومبوتیک در شهر رفسنجان با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران 1389

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2012

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید