ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

هدف: میزان بالای همبودی میان اختلال دوقطبی و اختلال وسواسی جبری می­تواند به دلیل فرآیندهای فراتشخیصی مشترک باشد؛ بنابراین، هدف پژوهش حاضر ارزیابی نقش سه فرآیند راهبردهای تنظیم شناختی هیجان، اضطراب و تکانشگری در ایجاد و تداوم اختلال دوقطبی و اختلال وسواسی جبری بود. روش: 25 بیمار مبتلا به اختلال دوقطبی (11 زن و 14 مرد)، 25 بیمار مبتلا به اختلال دوقطبی همبود با وسواس/ جبری (12 زن و 13 مرد) و 25 نف...

تاثیر مهندسی کانال و نواحی کناری بر کارکرد فرکانسی و سوییچینگ ترانزیستور نانوتیوب کربنی و ماسفت سیلیکنی دو گیتی مطالعه گردیده است. پارامترهای عملکرد مانند فرکانس قطع، سرعت سوییچینگ، مشخصه دوقطبی و نسبت جریان حالت روشن به خاموش محاسبه و بهینه سازی شده اند. به دلیل ایجاد رفتار الکترواستاتیکی مطلوب، اتصالات سورس و درین یک بعدی مورد استفاده قرار گرفته است. کاهش فرکانس قطع در اثر نفوذ تابع موج در اک...

دراین رساله رفتار جذب یک مولکول آمونیاک روی سطح خارجی نانولوله های کربنی تک دیواره (0,5)، (0,8)، (5,5) و (6,6) با استفاده از نظریه تابعیت چگالی (dft) مورد بررسی قرار گرفته است. انرژی های پیوندی محاسبه شده به وضوح نشان می دهند که جذب به قطر نانولوله بستگی دارد. تانسورهای پوشیدگی شیمیایی 13c، 15n و 1h در سطح تابع هیبریدی b3lyp با استفاده از روش giao محاسبه شدند. محاسبات nmr آشکار می کنند که پوشید...

رابطه ی بین اختلال شخصیت مرزی و اختلالات طیف دوقطبی، به ویژه دوقطبی از مباحثی است که در سال­های اخیر مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف پژوهش حاضر، درک بهتر از شرایط روان­پویایی و ساختار شخصیت و مقایسه ی مولفه­های سازمان شخصیت مرزی در  افراد مبتلا به اختلال شخصیت مرزی و اختلال دوقطبی نوع دو بود. بدین منظور، طی یک پژوهش مقایسه ای، 20 بیمار مبتلا به اختلال شخصیت مرزی و 19 بیمار مبتلا ...

رابطه ی بین اختلال شخصیت مرزی و اختلالات طیف دوقطبی، به ویژه دوقطبی از مباحثی است که در سال­های اخیر مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف پژوهش حاضر، درک بهتر از شرایط روان­پویایی و ساختار شخصیت و مقایسه ی مولفه­های سازمان شخصیت مرزی در  افراد مبتلا به اختلال شخصیت مرزی و اختلال دوقطبی نوع دو بود. بدین منظور، طی یک پژوهش مقایسه ای، 20 بیمار مبتلا به اختلال شخصیت مرزی و 19 بیمار مبتلا ...

هدف این پژوهش مقایسه کیفیت‏زندگی و سلامت‏روانی همسران بیماران مبتلا به اختلال اسکیزوفرنی، دوقطبی، افسردگی ‏اساسی و افراد بهنجار بود. جامعه‏ آماری این پژوهش را همسران بیماران اسکیزوفرن، دوقطبی و افسرده ‏اساسی مراجعه‏کننده به بخش روان‏پزشکی بیمارستان امام حسین(ع) و بیمارستان روان­پزشکی رازی، همین‏طور همسران بیماران اسکیزوفرن در انجمن حمایت از افراد اسکیزوفرن «احبا» و همسران افراد بهنجار تشکیل داد...

اختلالات روانی به دلیل فقدان نقایص جسمی به سختی تشخیص داده می‌شوند. این مشکل وقتی تشدید می‌شود که دو اختلال دارای نشانه‌ها و علایم بسیار شبیه به هم باشند. هدف از مطالعه‌ی حاضر، مقایسه‌ی شیوه‌ی خاطره‌نگاری بیماران مبتلا به اختلالات اسکیزوفرنی، اسکیزوافکتیو و دوقطبی می‌باشد. روش‌کار: این پژوهش، پس‌رویدادی از نوع مورد-شاهدی بود که با روش خاطره‌نگاری بر روی 60 بیمار مبتلا به اختلالات اسکیزوفرنی، اس...

اختلال دوقطبی نوعی اختلال عاطفی است و افراد مبتلا به آن تغییرات شدید خلقی را تجربه می‌کنند. حدود یک درصد جمعیت جهان مبتلا به اختلال دوقطبی می‌باشندکه بیشتر آن‌ها خلاقیت بالایی دارند. از دیدگاه روان‌پزشکی توصیفی بسیاری از هنرمندان از جمله نویسندگان مانند صادق هدایت مبتلا به اختلال دوقطبی هستند. هدف این پژوهش بررسی ویژگی‌های زبانی افراد مبتلا به اختلال دوقطبی است. به همین منظور، از نامه‌های صادق ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...