هدف از انجام این پروژه، مطالعه حالات الکترونی مولکول بنزن در حضور ناخالصیهای مختلف است. ابتدا محاسبات را برای تک مولکول بنزن انجام داده و سپس با اضافه نمودن عناصر گوگرد و فسفر به عنوان ناخالصی و با رسم نمودار چگالی حالتها تغییرات انرژی گاف را اندازه گیری نموده ایم. مشاهده می کنیم که در همه این حالتها انژی گاف کوچک شده است. روش صحیح افزودن ناخالصی، به صورت قرار دادن آن نزدیک سیستم و ایجاد همپو...

زمینه و هدف: امروزه از پرتوهای الکترونی برای درمان ضایعات سطحی به­طور گسترده­ای استفاده می­شود. از آنجایی که دستگاه­های شتاب­دهنده، پرتوهای الکترونی با انرژی­های محدود ایجاد می­کنند، ناحیۀ درمانی با توزیع دز مطلوب به عمق­های مشخصی محدود می­شود. لذا در این مطالعه با ترکیب پرتوهای الکترونی با انرژی­ها و سهم­های متفاوت، برای درمان ضایعات سطحی کم­عمق (تا حدود cm 3)، منحنی­ PDD با ت...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

امواج الکترومغناطیسی در برخورد با بردهای الکترونیکی، جریان و ولتاژ در مدارها القا می کنند. اندازه میدان کوپل شده، به خصوصیات جبهه موج و برد الکترونیکی بستگی دارد. در این مقاله با حل معادلات ماکسول به روش fdtd1 و شبیه سازی سه بعدی از شرایط مرزی لایه های کاملا منطبق2 و روش tf/sf3، برای شبیه سازی انتشار موج در برد و محیط و بررسی تأثیر مشخصات موج تابشی در القا بر روی خطوط میکرواستریپ برد مدار چاپی ...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

شناسائی مواد در ابعاد نانومتری توسط میکروسکوپ‏های دقیق یا همان نانوسکوپی، به فهم بهتر فیزیولوژی سلول‏ها منجر شده و یکی از راه‏های موجود برای ارزیابی تغییرات ایجاد شده توسط عوامل فیزیکی و شیمیائی در سطح سلول می‏باشد. با توجه به پیشرفت‏های اخیر در حوزه نانو، ابزارهای نانوسکوپی برای بررسی خصوصیات فراساختاری، اقدامات تشخیصی و پژوهش‏های دارویی در حوزه انگل‏شناسی، به ویژه تک یاخته‏های بیماری‏زا مانند...

ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...