در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...

با توجه به نیاز صنایع هوافضا و دفاعی به لامپ تقویت کننده¬ی کلایسترون، این پایان¬نامه در راستای کسب دانش طراحی و تحلیل این تقویت کننده¬ها هدف گذاری شده است. یکی از مشکلات موجود در روند طراحی و تحلیل لامپهای مایکروویو در کشور، کمبود ابزارها و نرم افزارهای تخصصی در این حوزه است. هدف از این پروژه ارائه روشی مناسب با استفاده از ابزارها و نرم افزار¬¬¬های موجود در کشور جهت طراحی و تحلیل لامپ کلایسترون...

مقدمه فعالیت مقاومتی از جمله روش‌‌های تمرینی است که می‌‌تواند بر وضعیت بدن افراد کم تحرک آثار متفاوتی را داشته باشد. این پژوهش با هدف بررسی تغییرات سطوح سرمی آیریزین و برخی از فاکتورهای التهابی بلافاصله و 24 ساعت پس از اجرای یک جلسه فعالیت مقاومتی با شدت بالا در زنان جوان کم تحرک انجام شد. مواد و روش‌‌ها در پژوهش نیمه تجربی حاضر 15 زن کم تحرک (میانگین سنی 5/3±11/24 سال، قد13/4±37/165سانتی-متر و...

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونی...

این پروژه شامل مطالعه و شبیه سازی تقویت کننده های توان مایکروویو و طراحی و ساخت یک تقویت کننده 10 وات با استفاده ترانزیستور از نوع (gan on sic hemt 0.25 um ) در باند x است. این تقویت کننده در فرستنده های رادار پالسی و فرستنده های دیجیتال کاربرد دارد. با توجه به قابلیت تحرک پذیری بالای الکترون در ganاین نوع ترانزیستورها امروزه برای ساخت تقویت کننده های توان در فرکانس های تا باند ku و بالاتر به ک...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...