نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی

تعداد نتایج: 184388  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم 1391

در این مطالعه، نانو ذرات قلع دی اکسید، قلع دی اکسید دوپه شده با مس، قلع دی اکسید دوپه شده با نیکل، مس مونو اکسید دوپه شده با قلع، نیکل اکسید دوپه شده با قلع، مس مونو اکسید و نیکل اکسید بهروش سولوترمال و هیدروترمال، در دمای 180 درجه سانتی گراد تهیه گردید. در این روشها نیاز به تنظیم ph، سورفکتانت و دمای بسیار بالا نبوده و اثر دوپه شدن بر ساختار و خواص نوری نانو ذرات پایه مطالعه شد. نانو ذرات حاصل...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1382

در این پروژه طراحی، ساخت و اندازه گیری بر روی برخی از احساسگرهای مینیاتوری که در فن آوری لایه های نازک و میکروالکترونیک قابل ساخت می باشند صورت گرفته است. تمامی مراحل ساخت که شامل طراحی اولیه، ساخت نقاب روی شیشه، لایه نشانی موادی چون (s03n4, sio2, ge, cu, al, ni,cr) زدایش و الگودهی این لایه ها و ایجاد اتصالات می باشد باموفقیت انجام شده است. از جمله احساسگرهای ترموکوپلی ساخته شده در این پروژه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1393

اخیراً پردازش سیگنال تمام نوری با سرعت زیاد توجهات زیادی را به خود جلب کرده است. این امر برای غلبه بر محدودیت های پردازش سیگنال الکتریکی است. در حوزه مدارهای منطقی تمام نوری تحقیقات زیادی انجام شده و گیت های بولین نوری متعددی هم طراحی گردیده است. از میان طراحی های انجام شده گیت های منطقی که بر اساس soa طراحی و ساخته شده اند، بر سایر طراحی ها برتری دارند زیرا زمان تأخیر در پردازش آن ها کوتاه، سطح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1391

گاز متان یکی از مهمترین گازها برای کاربرد های خانگی و صنعتی می باشد. از آنجایی که متان به شدت اشتعال زا می باشد، ساخت و توسعه حسگر گاز متان بسیار مهم می باشد. این حسگر مورد نیاز صنعت نفت و گاز کشور می باشد. از میان انواع حسگرهای گاز متان، حسگرهای بر پایه اکسیدهای فلزی قدرت انتخاب پذیری بالایی نسبت به انواع دیگر حسگرها دارند. مهم ترین نوع حسگرهای اکسید فلزی از نقطه نظر کاربردهای عملی حسگر های بر...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد - دانشکده برق 1392

یکی از ملزومات مربوط به انتخاب یک قطعه الکترونیکی قدرت مناسب برای یک مبدل این است که قطعه باید دارای مقاومت درونی ویژه پائین باشد. مقاومت درونی ویژه ی قطعه دوقطبی به عرض بیس و غلظت ناخالصی ناحیه رانش دارای ناخالص کم ،وابسته است . این بدین معنی است که غلظت ناخالصی و عرض ناحیه بیس کم غلظت در یک قطعه دوقطبی باید با دقت بسیار زیاد تعیین شود تا بتوان به یک ولتاز شکست بهمنی و مقاومت درونی مطلوب دست ی...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
ahmadreza amin k. n. toosi university of technology alireza salehi k. n. toosi university of technology mohammd hossin ghezelayagh imam hossein university yaghob ghanegharabagh imam hossein university

امواج الکترومغناطیسی در برخورد با بردهای الکترونیکی، جریان و ولتاژ در مدارها القا می کنند. اندازه میدان کوپل شده، به خصوصیات جبهه موج و برد الکترونیکی بستگی دارد. در این مقاله با حل معادلات ماکسول به روش fdtd1 و شبیه سازی سه بعدی از شرایط مرزی لایه های کاملا منطبق2 و روش tf/sf3، برای شبیه سازی انتشار موج در برد و محیط و بررسی تأثیر مشخصات موج تابشی در القا بر روی خطوط میکرواستریپ برد مدار چاپی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1389

در این پایان نامه ابتدا انواع آسیب های فیزیکی قطعات نیمه هادی و تئوری های مورد نیاز الکترومغناطیسی برای شبیه سازی و درک بهتر اثر انتشار موج بر روی مدارات الکترونیکی بررسی و ارائه شده است. آنگاه استانداردها و چیدمان آزمایش ها و سیستم های طراحی و ساخته شده برای انجام آزمون های این پایان نامه بیان گردیده است. توسعه شبیه سازی سه بعدی در حوزه زمان به روش fdtd با کدنویسی به زبان فرترن و با استفاده از...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
عباس مختاری a mokhtari islamic azad university, arak branchدانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک داود پورمحمد d purmohammad imam khomeini international university

نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و mcd را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر ی...

ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید