لایه‌ای از نانوسیم­های اکسید روی بر روی زیر­لایة فلز روی از محلولی که حاوی 2 ZnClو 2O2  Hبوده به­روش احیاء کاتدی و از طریق حرارت دادن در اتمسفر در دمای ºC 400 و به­مدت 4 ساعت ایجاد شد. پراش پرتو ایکس مجموعه­ای از قله­های معین، (مطابق با ساختار ورتزایت اکسید روی) نشان می­دهد. تصاویر میکروسکوپ­های الکترونی روبشی و عبوری مشخص می‌کند که نانو­سیم‌های اکسید روی با جهت­گیری اتفاقی با طول چندین میکرون ...

بازترکیبی بین الکترون ـ حفره های تولید شده توسط نور، عامل اصلی در کاهش بازده فرآیندهای فتوکاتالیستی است. در سال های اخیر تلاش های زیادی در جهت کاهش بازترکیبی بین الکترون و حفره انجام شده است. اعمال میدن الکتریکی به آندی که ذرات فتوکاتالیست روی آن تثبیت شده، می تواند به طور موثری بازترکیبی بین الکترون و حفره را کاهش داده و راندمان فرآیند فتوکاتالیستی را افزایش دهد. برای بررسی اثر میدان الکتریکی ...

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

در این پژوهش، اثر نانوذرات اکسید سریم بر چسبندگی لعاب به زیرلایه فلزی مورد بررسی قرار گرفت. اکسید سریم با پیش ماده آمونیم سریم نیترات، اتانول، اسید استیک و آب دیونیزه، به‌روش سل- ژل سنتز شد. هم به‌صورت افزودنی به دوغاب لعاب و هم به‌صورت لایه میانی در فصل مشترک لعاب- فلز، استفاده شد. پودر و پوشش ایجاد شده با آنالیزهای XRD و SEM وFESEM مشخصه‌یابی شدند و برای بررسی چسبندگی لعاب، آزمون ضربه مطابق ...

نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن به دلیل کاربردهای فراوان در پزشکی مانند انتقال دارو، تشخیص و درمان و بیوتکنولوژی توجه محققان زیادی را به خود جلب کرده است. در این پروژه ما نانوذرات فریت منگنز با ساختار اسپینلی را با استفاده از روش هم-رسوبی سنتز کردیم که نتایج به دست آمده از xrd و ftir آن را تایید می¬کنند. سپس اثر رفتار حرارتی را روی ساختار آن مورد بررسی قرار دادیم و با توجه به پیک¬های موجود در نتایج...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

امروزه با توجه به آلودگی هوا ناشی از دود ماشین‌ها و کارخانه‌ها باید تمهیداتی برای آشکارسازی و پایش انتشار این ترکیب‌های آلوده‌کننده اندیشید. یکی از روش‌های آشکارسازی این ترکیب‌ها استفاده از حسگرهای اکسید فلزی نیم‌رسانا است. این حسگرهای گازی اکسید فلزی برای تشخیص گازها در کاربردهای خانگی، تجاری و صنعتی دارای مزایای بسیاری ازجمله هزینه کم و تولید آسان هستند. به هرحال، کارایی این حسگرها به عوامل م...

با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کرده ایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفت های کانال  mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان می دهد که این رفتار را می توان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال  mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این مقاله، برای ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن با آلایش کم با استفاده از انتقال نفوذی و رانشی حامل‌های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است.  نخست، با استفاده از معادله پواسون یک‌بعدی کانال بلند در جهت عمود بر کانال در حضور حامل‌های متحرک بار، معادله دیفرانسیلی برای بار کانال به‌دست می‌آید که پاسخ آن تغییرات مؤلفه غلظت بار کانال بلند را در امتداد عمود بر کانال نشان می‌...