نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای اثر میدان فلز
تعداد نتایج: 162103 فیلتر نتایج به سال:
حساسیت آشکارساز فلز از نوع میدان الکترومغناطیسی مستقیما به پایداری آن بستگی دارد و هر اندازه که حساسیت مورد نظر بیشتر باشد بهمان اندازه تکرار تنظیم پیچ های کنترل برای تعادل دستگاه افزایش می یابد.بنابراین برای دسترسی به حساسیت ماکزیمم ، استفاده از شبکه جبران خود کار((برای از بین بردن هرگونه جابجائی تغییرات دما)) ضروری است .زیرا گرچه این نوع سیگنال بوجود آمده در ورودی آشکار ساز کوچک است ولی پس از...
آرایهای از نانوسیمهای اکسید روی از طریق لایهنشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایهی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oC 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعهای از قلههای معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیمهای اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شدهاند. مطالعات طیفسنجی فوتوالکترون اشعهی ایک...
پلاسمون پلاریتون های سطحی (spp)، نوسانات کوانتیزه چگالی بارهایی هستند که در اثر تزویج فوتون ها به الکترون های آزاد فلز در مرز بین فلز با دی الکتریک، ایجاد می شوند. در دهه های اخیر، تحقیقات عملی و تئوری زیادی در زمینه انتقال نور غیر عادی از آرایه ای از حفره های در ابعاد نانو بر روی یک فیلم فلزی و ساختارهای توری فلزی در حد نانو، انجام گرفته است. امروزه استفاده از sppها برای افزایش جذب نور با استف...
ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...
پس از کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده¬اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده، پرداخته ایم...
در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...
آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...
کاهش اندازه ماسفت ها منجر به افزایش توان مصرفی استاتیک می شود. به منظور بهبود بازده انرژی مدارات الکترونیکی، سوئیچهایی با شیب کم برای جایگزینی یا بکارگیری ماسفت های مرسوم که امروزه به وفور مورد استفاده قرار می گیرند، مورد توجه می باشد. فت هایتونلی، که دارای پیوند p-i-n هستند و جریان روشن آنها از تونل زنی باند به باند ناشی می شود، ترانزیستورهای جدید و مورد توجه برای کاربردهای کم توان، به خاطر جر...
پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دههی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...
مطالعه ی گذار فلز به عایق در نانو لوله گرافنی نقص دار با اعمال میدان الکتریکی : رهیافت آشوب کوانتومی
گذار فلز به عایق در یک نانو لوله ی تک جداره گرافنی در حضور ناکاملی ها با استفاده از تئوری آشوب کوانتومی بر مبنای هامیلتونی تنگ بست مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که اعمال میدان الکتریکی در امتداد محور نانو لوله نقص دار موجب گذار از فاز رسانا به عایق می شود. با استفاده تحلیل طیف انرژی و تحلیل مولتی فرکتالی، مقدار آستانه ی میدان الکتریکی برای بروز پدیده گذار تع...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید