با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

اشتیاق و توجه زیادی که به توسعه تکنولوژی مدارات مجتمع در 40 سال اخیر و جود داشته، موجب شده است که اندازه ترانزیستورها به طور نمایی کوچک شود. با کاهش سریع اندازه ترانزیستورها در تکنولوژی های جدید، در آینده کارایی مدارها بیشتر توسط اتصالات تعیین می شود تا سلول ها زیرا نسبت تأخیر سیم های سراسری به تأخیر سلول ها به شدت در حال افزایش است. پیشرفت های تکنولوژی ساخت مشکلات دیگری مثل نویز همشنوایی، تأثی...

با پیشرفت تکنولوژی و به وجود آمدن سلول های حافظه ایستای جاسازی شده (sram)، این سلول ها به دلیل سرعت بسیار بالا و هزینه ی ساختِ کم، تبدیل به رایج ترین حافظه های مورد استفاده در بازار گردیدند. از طرف دیگر با افزایش تعداد ترانزیستورها در آرایه های sram و نیز افزایش جریان نشتی ترانزیستورها در تکنولوژی های با ابعاد کوچک ، توان مصرفی نیز افزایش می یابد. به علاوه فرایند کاهش ولتاژ منبع تغذیه برای جبرانِ...

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

در این تحقیق می خواهیم به بررسی راهکارهایی برای طراحی مدارهای ولتاژ پایین و توان پایین بپردازیم.همانطور که می دانیم در سال های اخیر با گسترش جهانی کامپیوترها، سیستم های الکتریکی ومصرف کننده های الکترونیکی قابل حمل، طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین اجباری شده است.بدین منظور، برای طراحی مدارهای ولتاژ پایین، آینه جریان، طبقات ورودی و خروجی ولتاژ پایین را بررسی کرده ایم .و از میان روش های متفاوتی...

در سال های اخیر سنتز نانو مواد هیبریدی آلی-معدنی به طور چشم گیری مورد مطالعه قرار گرفته اند. این مواد قابلیت لازم را در ممانعت از جریان نشتی و تونلی در محفظه های فراخلأ، گیت های حسگرهای الکتروشیمیایی دارویی و تراشه های الکترونیکی دارند علاوه بر آن مواد دی الکتریک هیبریدی می-توانند به عنوان یک سد دی الکتریک کنترلی در قطعات نانو ترانزیستورها و حافظه های ذخیره کننده رایانه ای و تلفن همراه نیز استف...

چکیده: این رساله طراحی بهینه مدارات آنالوگ را براساس الگوریتم ژنتیک چند هدفه ارائه می¬کند. الگوریتم ژنتیک چند هدفه یکی از سریع¬ترین و توانمند¬¬ترین الگوریتم های بهینه¬سازی می¬باشد که دارای کاربرد گسترده¬ای در حوزه مسائل بهینه¬سازی است. سایز ترانزیستورها، مقدار خازن و مقدار مقاومت به عنوان پارامترهای طراحی مدار توسط الگوریتم بهینه سازی پیشنهاد می¬شود. شبیه¬سازی مدار با مقادیر مشخص شده انجام شده ...

پس از کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده¬اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده، پرداخته ایم...

چاههای کوانتومی کاربرد وسیعی در ابزار الکترونیکی مانند ترانزیستورها و صنایع اپتوالکترونیکی مانند لیزرهای نیمرسانا و آشکارسازهای مادون قرمز دارند. مطالعه و بررسی اثر میدانهای خارجی مانند میدان لیزری قوی بر روی چاههای کوانتومی دارای اهمیت فراوانی می باشد. در این پایان نامه اثر میدان لیزری را بر روی خواص نوری چاههای کوانتومی نیمه سهموی و سهموی gaas و چاههای کوانتومی کرنشی ingan/algan بررسی خواهیم ...

امروزه با توجه به نیاز روزافزون به ارسال اطلاعات خصوصا در شبکه های اینترنتی و مخابراتی در سرتاسر دنیا نیاز به پهنای باند وسیع احساس میشود یکی از روشهایی که می توانیم یک تقویت کننده باند وسیع داشته ایده تقویت کنندههای توزیع شده می باشد. خازنهای ذاتی بین پیوندهای نیمه هادی موجب کاهش پهنای باند تقویت کننده می شوند. سلفهایی که بین ترانزیستورها قرار می گیرند به عنوان عامل خنثی کننده این اثرات پیشنها...