نتایج جستجو برای: تخلیهی تابان سد دی الکتریک

تعداد نتایج: 25207  

روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...

ژورنال: لیزر پزشکی 2012
بهرامپور, علیرضا, سلیمی‌نسب, مریم, شیرزادی‌تبار, فرزاد,

    مقدمه: با ‌ استفاده از نانو ‌ ذرات نقره با خاصیت اپتیکی منحصر ‌ به ‌ فرد و قابل تنظیم، نانوحسگرهای زیستی طراحی و ساخته می­شوند. در این مقاله یک نانو ‌ پوستۀ کروی دو ‌ لایه شامل دی ‌ الکتریک و نقره بر ‌ اساس تشدید پلاسمون سطحی به ‌ عنوان حسگری زیستی معرفی شده است.   روش بررسی: با تاباندن نور بر نانو ‌ پوستۀ کروی، بر ‌ اثر بر ‌ همکنش قوی بین پلاسمون­های سطحی پوسته و حفرۀ داخلی کره، طیف جذبی ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1388

در این تحقیق شیشه-سرامیک ها ی ولاستونیت و کامپوزیت های حاوی 80 درصد وزنی پودر شیشه و20 درصد وزنی جزء دوم (tio2 و یا al2o3) از طریق سینتر بدون فشار تهیه شدند. ابتدا نمونه های تهیه شده از پودرهای شیشه در سیستم i (wo300/2- fe2o300/6- na2o08/5- cao25/27- sio268/59) و ii (wo300/2- fe2o300/6- na2o08/5- cao61/34- sio231/52) (بر حسب درصد وزنی) در محدوده دمایی c?900-720 عملیات حرارتی شده و سپس اثر افزای...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
مهرداد دادستانی عضو هیئت علمی دانشگاه لرستان راضیه مؤمنی فیلی مربی حق التدریس آزاده بیرانوند مربی حق التدریس

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی 1394

در پژوهش حاضر، سنتز، بررسی رفتار سینتر با استفاده از روش های مختلف (کوره معمولی و گرمادهی مایکروویو) و ویژگی های مایکروویو دی الکتریک سرامیک های znnb2o6 در حضور tio2 مورد مطالعه قرار گرفت. از zno، nb2o5 و tio2 میکرون و نانو به عنوان مواد اولیه استفاده شد. ابتدا نانوپودر znnb2o6 با استفاده از آسیاب پرانرژی مخلوط پودرهای zno و nb2o5 به مدت 20 ساعت و عملیات حرارتی با استفاده از کوره معمولی و گرماد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان 1380

در این پایان نامه قصد داریم میدان الکترومغناطیسی را در حضور تیغه دی الکتریک پاشنده اتلافی که توسط

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...

در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران 1389

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی 1389

در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا ب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید