‏اخیراً‎ توجه زیادی به پدیده های تراهرتز در مواد الکترونیکی بوده است. این عمدتاً به دلیل پیشرفت سریع چشمه های لیزر ‏توان بالا,‎ ‎‏طول‎ موج بلند و ‎تنظیم‎ پذیر مانند لیزرهای الکترون آزاد است. نظر به پیشرفت سریع پدیده تراهرتز جفت شدگی فوتون الکترون الزامی است. کمیت سودمند در درک ویژگی های انتقالی و نوری یک سیستم الکترونی,‎ ‎‏تابع‎ دی الکتریک است. در این پایان نامه,‎ ‎‏ما‎ یک پژوهش نظری از ویژگی های...

پلاسمای غیر حرارتی در فشار اتمسفر به علت آنکه انرژی الکتریکی اعمال شده به آن به جای گرم کردن محیط گازی، صرف ایجاد الکترون های پر انرژی می شود، غالبا برای آنالیز شیمیایی و یا حذف عناصر نامطلوب از گازها به کار می رود. انرژی الکتریکی نهایتا منجر به تولید رادیکال های آزادی می شود که بسیار فعال تر و تاثیرگذارتر از اتم ها و مولکول های حالت پایه هستند. روش های پلاسمایی متفاوتی برای حذف آلاینده ها از گ...

در این پژوهش، فریت لیتیم  (Li0.5Fe2.5O4)به کمک روش سل- ژل تهیه و اثر عملیات حرارتی در دمای    C°­1000بر روی ساختار و ویژگی­های آن ارزیابی شد. برمبنای آزمون پراش پرتو ایکس(XRD)، ساختار کریستالی مکعبی با گروه فضایی P4332 برای فریت لیتیم قبل و پس از عملیات حرارتی شناسایی شد. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان (FESEM) ریزساختار پودرهای تولید بررسی شد. قبل از عملیات حراراتی، در کلوخه­ه...

محافظت از آنتن در برابر عوامل خارجی (باد، باران و برخورد اشیا و پرندگان) توسط رادوم صورت می گیرد. به منظور ساخت رادوم با توان کارکرد در دمای زیاد (بیش از 1000 درجه سانتیگراد)، مناسب پرنده های مافوق صوت (10-5 ماخ)، از سرامیک های مهندسی استفاده می شود. رادوم علاوه بر خواص مکانیکی قابل قبول، باید از ثابت دی الکتریک و تانژانت اتلاف مناسب برخوردار باشد تا بر عملکرد آنتن تاثیر منفی نگذارد. ایجاد تخلخ...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

در این پایان نامه خواص الکترونیکی شامل چگالی ابرالکترونی، ساختار نواری، چگالی حالت ها و گاف انرژی و خواص اپتیکی از جمله تابع دی الکتریک، هدایت اپتیکی، بازتابندگی، ضریب شکست و ضریب خاموشی محاسبه شده است. کلیه ی محاسبه ها با هردو روش gga و gga+u در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی dftانجام شده است. مقدار u برای ترکیبات batio3 و cazro3، ryd 52/0 و برای ترکیب ba0.5ca0.5ti0.5zr0.5o3 ، ryd 7/0 انتخاب شده ا...

با تکنیک طیف سنجی افت انرژی الکترون بازتابی(REELS)، در انرژی کم می‌توان خواص الکترونیکی لایه‌های نازک و نانو ساختارها و ساختار الکترونی سطح را تعیین کرد. در این مقاله، با استفاده از سطح مقطع ناکشسان تجربی REELS به دست آمده به روش توگارد – چورکن دورف، تابع دی الکتریک تیتانیت استرانسیم با روش یوبرو- توگارد تعیین می‌شود. سطح مقطع تئوری با توافق خوبی با تجربی در انرژی 1423 و زاویه‌ی ورودی و خروجی °...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...