نتایج جستجو برای: بازبهنجارش باند گاف

تعداد نتایج: 7054  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان 1381

گذار فاز پارامغناطیس به فرومغناطیس یک گذار نامنظم-منظم است که در بلورهای مغناطیسی اتفاق می افتد. شرح کامل این گذار توسط مدلهای اسپینی که در مکانیک آماری ارائه می شوند، بیان می گردد. از جمله مدلهای بکار برده شده برای توصیف این گذار می توان، مدل آیزینگ ، مدل پاتس ، مدل هایزنبرگ ، مدل مختلط و ... را نام برد. در این پایان نامه بعد از معرفی پدیده های بحرانی که این گذار نیز جز این نوع پدیده های بحران...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم 1393

در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1391

در این تحقیق، خواص الکترونی نانولوله های کربنی تحت تأثیر میدان های خارجی توسط مدل تنگ بست مورد مطالعه قرار گرفته است. نانولوله های کربنی هنگامی که از روش زون فولدینگ استفاده می کنیم و از اثرات پیچش و هیبریداسیون اوربیتال های ? و ? صرف نظر می کنیم با توجه به قطر و آرایش مارپیچیشان می توانند یک فلز یا نیمه رسانا باشند. ابتدا، با استفاده از تقریب تنگ بست رابطه انرژی پراکندگی گرافن را محاسبه می کنی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه مهندسی 1392

در این پژوهش ارتقا درک علمی از روش گروه بازبهنجارش و کاربرد این روش در سیستم های آماری مورد توجه قرار می گیرد. گذار فاز یکی از پدیده های جالب در برهم کنش میان ذرات است. در بررسی گذار فاز سیستم های مختلف در نقطه بحرانی، تکینگی هایی در برخی کمیات ترمودینامیکی سیستم وجود دارد که این تکینگی هاتوسط توان های بحرانی سیستم توصیف می شود. سیستم در دمای بالاتر از دمای بحرانی دارای حوزه های مختلفی است که ...

ژورنال: :مهندسی مکانیک و ارتعاشات 0
مددعلی ولوئیان دانشگاه آزاد اسلامی واحد سمنان - عضو هیات علمی

در این مقاله محاسبه انرژی کازمیر مربوط به میدان اسکالر جرم دار روی یک سطح کره s^2 با شرط مرزی نوسانی محاسبه شده است. محاسبه این انرژی در دیگر مقالات گذشته با کم کردن انرژی نقطه صفرِ فضای مینکوفسکی از انرژی نقطه صفری که با در نظر گرفتن شرط مرزی محاسبه می شد انجام شده است و در این بعد از کم کردن واگرایی ها و یافتن رابطه ای برای انرژی کازمیر نیاز به بازبهنجارش ثانویه برای حذف واگرایی های ناشی از پا...

حجت الله باده یان حمداله صالحی زهره جاودانی,

در این کار برخی از ویژگی‌های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبSrFe2O4  بررسی می‌شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب‌های مختلف برای انرژی تبادلی-‌همبستگی و با استفاده از نرم‌افزار Wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که برای ترکیب SrFe2O4 نظم فری‌مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری‌مغناطیس،...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محمدرضا خانلری mr khanlary imam khomeini international university of qazvinدانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین ندا احمدی n ahmadi imam khomeini international university of qazvinدانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین

لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1392

سلول های خورشیدی با صفحه نازک cdte (کادمیم تلوراید)، یکی از قابل رقابت ترین قطعات فتوولتائیک هستند که از نظر هزینه و ضریب عملکرد مورد توجه هستند. کادمیم تلوراید ضریب جذب نور بسیار بالایی دارد. فقط مقدار کمی از کادمیم تلوراید (ضخامت 2-8 میکرون) برای لایه جذب کننده (100مرتبه نازک تر از سلول خورشیدی معمولی کریستالی سیلیکونی) مورد نیاز است. علاوه بر این، گاف باند کادمیم تلوراید به خوبی با طیف خورشی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1392

در این با استفاده از نظریه تابعی چگالی، ویژگی های ساختاری و الکترونی صفحه نیترید بور که هیدروژن دار ( فلوئوردار) شده را بررسی کردیم. محاسبات انرژی کل و ساختار باند الکترونی با کمک اصول اولیه و روش امواج تخت بهبودیافته خطی در مدل پتانسیل کامل و کد wien2k انجام شد. از تقریب شیب تعمیم یافته (gga)، برای بسط جمله پتانسیل تبادلی همبستگی استفاده شده است. ساختار بهینه شده نشان داد که پیوندهای bh,nh...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید