در این پایان¬نامه ما به بررسی تاثیر میدان الکتریکی بر کنترل خواص الکترونی، مغناطیسی نانوحلقه¬ها و نانودیسک¬های گرافینی به منظور استفاده در نانوترانزیستورهای وابسته به اسپین می¬پردازیم. با توجه به تنگ بست قوی تک¬نواری و مدل میدان متوسط هابارد، از حل معادله پواسن به منظور در نظر گرفتن اثر میدان الکتریکی(پتانسیل در هر جایگاه اتمی) استفاده کردیم. با در نظرگرفتن میدان¬های الکتریکی متفاوت، خواص الکتر...

در این مقاله تمرکز سیلان به واسطه نرم شدن (کار نرمی) ناشی از تغییر شکل در فشردن جانبی استوانه مورد بررسی قرار گرفته است. تمرکز سیلان منجر به تشکیل نوارهای برشی قابل رویت با چشم می شود که می توان آنها را پس از متالوگرافی سطح مقطع رویت کرد. در این مقاله برای اولین بار با استفاده از مدل ساده، دو برشه روشی برای پیش بینی تشکیل یا عدم تشکیل نوارهای برشی ارائه شده و با نتایج تجربی موجود برای آلیاژ تیت...

کمانش و ارتعاشات الاستیک ورقه های گرافینی چهارضلعی یک لایه و چندلایه جاسازی شده درون ماتریس پلیمری بر پایه مکانیک محیط های پیوسته غیرمحلی مطالعه می شود. اثرات مقیاس اندازه کوچک مدنظر قرار می گیرد. اصل کار مجازی به منظور استخراج معادلات حاکم به کار می رود. روش گالرکین به همراه مختصات طبیعی نانوصفحه به عنوان مبنای حل مورد استفاده قرار می گیرد. بارکمانش و فرکانس طبیعی بدون بعد برای ورقه های گرافین...

در این پایان نامه، بر اساس رهیافت تابع گرین و هامیلتونی تنگابست، در تقریب نزدیکترین همسایه ها، به بررسی ترابرد الکترونی در ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی، بر اساس تونل زنی کوانتومی، خواهیم پرداخت. این ترانزیستورها شامل دو نانونوار گرافینی است؛ که چند لایه بور-نیترید در بین آن ها جای گرفته است. نتایج نشان می دهد، که در انرژی هایی در محدوده سد تونل زنی، ترابرد حامل های بار به تعداد لایه های بور...

در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است. برای غلبه بر این مشکل و ایجاد گاف درساختار الکترونی صفحه گرافین به نوار¬های باریک، نقاط کوانتومی و حلقه¬های کوانتومی ...

هدف اصلی این پایان نامه، بررسی چگالی حالت های نانونوارهای گرافینی آرمچیر و زیگزاگ با تغییر ساختار هندسه ی آنها،از لحاظ تعداد لایه و عرض میباشد. هامیلتونی نانونوارهای گرافینی را در تقریب تنگ بست در کوانتش دوم بدست آورده، و با استفاده از رهیافت تابع گرین معادله ی حرکت مربوط به الکترونهای ظرفیت سیستم مورد نظر را نوشته، سپس با داشتن تابع گرین و استفاده از نرم افزار متلب (matlab) چگالی حالت های نانو...

گرافین کامل و دست‌ نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان‌ یافته با هیدروژن در غیاب نقص‌های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی‌جای‌ها، خواص مغناطیسی را به‌شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل‌ توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی‌جای‌ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانون...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

در سال های اخیر مواد مغناطیسی نرم به خصوص آلیاژ های نانو ساختار به طور گسترده ای در صنایع مختلف مورد استفاده قرار گرفته است. این مواد به عنوان جذب کننده ی نویزهای الکترومغناطیسی برای جلوگیری از خراب شدن مدارهای الکترونیکی، در وسایلی که با فرکانس-های بالا کار می کنند، به عنوان هسته در القاگرها و در سنسورهای مغناطیسی بکار می روند. یکی از این مواد، آلیاژی از نیکل و آهن یا پرمالوی (80% نیکل و 20% آ...

در این مقاله ویژگی های ساختاری و  الکترونی ازجمله  ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکم پذیری،بهینه سازی حجم ، ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ها و چگالی ابرالکترونی نیم رسانای منیزیم سلنید (mgse) درفازهگزاگونال برای ساختارb4 مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبه ها بااستفاده ازروش امواجتخت تقویت شدۀخطیباپتانسیل کامل، درچارچوبنظریۀتابعیچگالی (dft) وبااستفادهازنرمافزار wien2kصورتگرفت.نتیجه هایبه دستآمدهیک گاف...