نتایج جستجو برای: اثر تنگنای فونون

تعداد نتایج: 148697  

بهرنگ مصلا, , حسین خسروآبادی, , علی توانا, , محمد اخوان, ,

  We explore the important role of the strong electron-phonon interaction in high temperature superconductivity through the study of the results of some important experiments, such as inelastic neutron and X-ray scattering, angle resolved photoemission spectroscopy, and isotope effects. We also present our computational results of the eigenvalues and eigenvectors of the Ag Raman modes, and the ...

Journal: : 2023

الشاهين (محمد ميرزا بن عباس وناصر الدين ميرزا) فبدأت الحكومة بإقامة علاقة غريبة مع رجال وعلى الرغم من ان تظاهرت بدعمها للرجال الا انها فشلت في النهاية اقامة معهم، وذلك بسبب تطرف الذين لا يؤمنون بتعاليم الإسلام، وكان الصعوبة التوافق بين ورجال اثر ذلك ظهرت العديد التمردات الدينية ضد الفارسية خلال المدة (١٨٣4-١٨52م) .

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
رضا نورافکن r nourafkan department of physics, sharif university of technology, p.o.box: 11155-9161, tehran, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه یزد، خیابان پژوهش، یزد ناصر نفری n nafari institute for studies in theoretical physics and mathematics, p.o.box: 19395-5531, tehran, iranمرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات (ipm)، صندوق پستی 5531-19395، تهران

از آنجا که تشکیل جفت الکترونها برای ابررسانایی ضرورت دارد، تشخیص سازوکارهایی که می توانند به تشکیل این جفت ها بیانجامد از اهمیت بسزایی برخوردار است. اما، از یکسو برخی از آزمایشها بر روی ابررساناهای دمای بالا، مانند arpes ، نشان داده اند که مجموعه ای از نتایج تجربی بوسیله مدهای بوزونی مغناطیسی قابل توصیفند و از سوی دیگر برخی دیگر از آزمایشها مانند تونلزنی ابررسانایی ( tunneling spectroscopy )، ب...

پایان نامه :موسسه آموزش عالی روزبهان ساری - دانشکده فناوری اطلاعات 1394

شبکه های مش بی سیم یک راه به صرفه برای پیاده سازی یک شبکه و ارائه دسترسی اینترنت پهنای باند هستند. در این شبکه ها یک زیر مجموعه از نودها که دروازه نامیده می شوند اتصال شبکه به زیرساخت سیمی را فراهم می کنند. دروازه ها به دلیل ظرفیت کم لینک بی سیم، تبدیل به یک تنگنای بالقوه خواهند شد. در این اثر ضمن بررسی روش های مختف تعدیل بار،به بررسی دقیق تر و شبیه سازی روش های تعدیل باردروازه می پردازیم و این...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1391

عصر جدید برای گرافین در سال 200? با تولید صفحه های گرافین به صورت تجربی آغاز شد. خبر تولید گرافین هیجان زیادی در دنیای فیزیک به وجود آورده و پس از مشاهده خواص منحصربه فرد آن در آزمایشگاه گام بلندی برداشته شد. گرافین از نقطه نظر کاربردی و بنیادی، به عنوان ماده اولیه وسایل نانوالکتریکی و خواص الکترونی برجسته اش جالب توجه است. طیف الکترونی گرافین در انرژی های پایین و حول نقاط دیراک، جایی که نوار ر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده فیزیک 1393

نتایج تجربی نشان داده است که وجود مرز دانه ها اثراتی بر روی برخی خواص الکتریکی، مکانیکی و حرارتی گرافین داشته است؛ ازجمله کاهش تحرک الکترونیکی، رسانندگی گرمایی و کاهش مقاومت الکتریکی. ازآنجایی که گرافین دوبعدی است و به اندازه یک اتم کربن ضخامت دارد، مرز دانه ها در گرافین هویت یک بعدی دارند. فونون های صوتی و اپتیکی حاملان گرما در بلور هستند، مرز دانه ها سبب پراکندگی فونون ها شده و به این ترتیب ی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده فیزیک 1390

با پیشرفت روزافزون علم نانو، بررسی خواص فونونی و گرمایی سامانه هایی در ابعاد نانو از اهمیت بسیاری برخوردار است. در این پایان نامه به بررسی ضریب عبور فونونی و رسانندگی گرمایی زنجیره های جرم-فنر شامل ناخالصی ها با در نظر گرفتن اثر نیروی خطی و غیر خطیبا استفاده از روش ماتریس انتقال می پردازیم. دیده می شود که با افزایش جرم ناخالصی ها و هم چنین افزایش قدرت فنر های بین آن ها ضریب عبور فونونی و در نتی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1393

در این پایان نامه در ابتدا ترابرد فونونی یک نانو ساختار شبه یک بعدی جرم - فنر متصل به دو هادی فونونی ساده در حضور برهمکنش های بلند برد کولنی بین تمام یون ها مورد بررسی قرار گرفتهاست. محاسبات در تقریب هماهنگ و با استفاده از روش تابع گرین انجام شدهاست. نتایج نشان می دهد که با افزایشقدرت نیروی کولنی بین یون ها، ضریب عبور فونونی در بسامد هایفونونی پایین کاهش می یاید. همچنین در حضور نیروی اتلافی ونی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1389

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید