در این مقاله بر روی وابستگی تابع پاسخ آشکارسازهای سوسوزن CsI(Tl) به شیب های دمایی کار شده است. در واقع اثرات سرد کردن آشکارسازهای سوسوزن CsI(Tl) به قطر mm 40 و طول mm 120 و تکثیر کنندة فوتونی به قطر mm 40 و طول mm 50 را در گستره دمایی ℃ 30 تا ℃ 30- را بر روی شکل پالس خروجی و قدرت تفکیک این آشکارسازها برای طیف سنجی پرتوهای متفاوت مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصل شده در این پژوهش نشان می دهد...

یکی از پارامترهای مهم در استفاده از آشکارسازهای ژرمانیومی فوق خالص hpge)) بازده آشکارساز است که به هندسه و عوامل جذبی بستگی دارد، به طوری که با تغییر پیکربندی در هندسه چشمه- آشکارساز، نیاز به اندازه گیری مجدد بازده آشکارساز است. دقیق ترین راه برای تعیین بازده آشکارساز، اندازه گیری تجربی و استفاده از چشمه های استاندارد است. با توجه به مشکل دسترسی به چشمه های استاندارد و در عین حال زمان بر بودن ا...

آشکارسازهای سوسوزن به صورت گسترده ای در مجموعه های آزمایشگاهی برای آشکارسازی ذرات باردار مورد استفاده قرار می گیرند. این آشکارسازها را می توان برای اندازه گیری انرژی، زمان پرواز و تعیین نوع ذره به کار گرفت. یکی از نکات قابل تأمل در آشکارسازهای ذرات باردار در سوسوزن ها، احتمال انجام برهم کنش های هادرونی بین ذره فرودی و هسته اتم های آشکارساز است که منجر به کاهش میزان انرژی به جا گذاشته شده در آشک...

در این پژوهش آسیاب کاری به عنوانی روشی برای ساخت آلیاژهایی دوتایی mn-ga و تأثیر آسیاب کاری بر فرایند تشکیل فاز نمونه های mn:ga با نسبت 2:1 و 3:1 در زمان­های 1، 2 و 5 ساعت مورد مطالعه قرار گرفت. در نمونه­های mn:ga با توجه به نتایج حاصل شده، ترکیب­ mn1.86ga با ساختار تتراگونال و گروه فضایی i4/mmm فاز پایدار بود و هم چنین مقادیری از ترکیب mn3ga با ساختار اورتورومبیک و گروه فضایی cmca در محصول شناس...

در این تحقیق، سیلیکون متخلخل به روش نوین حکاکی ترکیبی شیمیایی و الکتروشیمیایی سنتز شد و تغییرات خواص اپتیکی و ساختاری بر اساس درجه تخلخل نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. در این روش سطح زیر لایه های سیلیکونی ابتدا توسط روش اچینگ شیمیایی به مدت td (زمان تاخیر) آماده سازی گردید. سپس در روش اچینگ الکتروشیمیایی حفره های اولیه تولید شده در مرحله قبل، امتداد یافته و سیلیکون متخلخل یکنواختی ایجاد شد. با ...

یکی از راه­های تأمین روی (Zn) مورد نیاز گیاه، استفاده از ریزجاندارانی است که موجب افزایش انحلال­پذیری ترکیبات کم محلول روی در خاک می­شوند. برای اثبات این فرضیه، آزمایشی در محیط شن استریل انجام شد. عامل­های این آزمایش شامل منبع روی (روی سولفات، روی اکسید و روی کربنات و شاهد بدون روی) و مایه­ی تلقیح (مایه­ی تلقیح حاوی گونه­ی 187 سودوموناس فلوئورسان، مایه­ی تلقیح حاوی گونه­ی 1MPFM سودوموناس آیروژی...

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...