آشکارسازهای حساس به محل ورود تابش، آشکارسازهایی هستند که می‌توانند محل ورود تابش را تعیین کنند. یکی از انواع این آشکارسازها، شمارگرهای گازی تناسبی هستند. آشکارسازهای گازی حساس به محل ورود تابش عموماً به دو روش تقسیم بار و زمان صعود کار می‌کنند. در این تحقیق ضمن مرور روش تقسیم بار به منظور مقایسه، روشی ارایه می‌شود که بر پایه‌ی تغییر فاصله‌ی بین الکترودها استوار است. برای آشکارساز گازی تناسبی ساخ...

در این مقاله بر روی وابستگی تابع پاسخ آشکارسازهای سوسوزن CsI(Tl) به شیب های دمایی کار شده است. در واقع اثرات سرد کردن آشکارسازهای سوسوزن CsI(Tl) به قطر mm 40 و طول mm 120 و تکثیر کنندة فوتونی به قطر mm 40 و طول mm 50 را در گستره دمایی ℃ 30 تا ℃ 30- را بر روی شکل پالس خروجی و قدرت تفکیک این آشکارسازها برای طیف سنجی پرتوهای متفاوت مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصل شده در این پژوهش نشان می دهد...

آشکارسازهای سوسوزن به صورت گسترده ای در مجموعه های آزمایشگاهی برای آشکارسازی ذرات باردار مورد استفاده قرار می گیرند. این آشکارسازها را می توان برای اندازه گیری انرژی، زمان پرواز و تعیین نوع ذره به کار گرفت. یکی از نکات قابل تأمل در آشکارسازهای ذرات باردار در سوسوزن ها، احتمال انجام برهم کنش های هادرونی بین ذره فرودی و هسته اتم های آشکارساز است که منجر به کاهش میزان انرژی به جا گذاشته شده در آشک...

امروزه محدوده فرکانسی امواج تراهرتز توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. یکی از مزایای امواج تراهرتز که سبب شده است فناوری تراهرتز در مخابرات پیشرفت گسترده ای داشته باشد، انتشار امواج تراهرتز در فضای آزاد با تلفات پراکندگی کم است. به علت افزایش تلفات عایقی در خطوط انتقال موجبری در محدوده فرکانسی امواج زیر میلیمتری، معمولاً از موجبرهای توخالی در این باند استفاده میشود؛ ولی ساخت اینگونه م...

در این تحقیق، سیلیکون متخلخل به روش نوین حکاکی ترکیبی شیمیایی و الکتروشیمیایی سنتز شد و تغییرات خواص اپتیکی و ساختاری بر اساس درجه تخلخل نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. در این روش سطح زیر لایه های سیلیکونی ابتدا توسط روش اچینگ شیمیایی به مدت td (زمان تاخیر) آماده سازی گردید. سپس در روش اچینگ الکتروشیمیایی حفره های اولیه تولید شده در مرحله قبل، امتداد یافته و سیلیکون متخلخل یکنواختی ایجاد شد. با ...

امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه mos2 به عنوان نیمه هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه mos2 در بازه ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه بی نهایت sio2 و هوا است که تک لایه mos2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطب...

امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه MoS2 به عنوان نیمه‌هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه MoS2 در بازه‌ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه‌بی‌نهایت SiO2 و هوا است که تک لایه MoS2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطب...

در این پایان نامه، دیود شاتکی گرافین-سیلیکون به وسیله ی ورقه کردن مکانیکی دو نوع گرافیت ( hopg و گرافیت طبیعی) بر روی زیر لایه ای از سیلیکون، ساخته شده است. زیرلایه ی سیلیکونی، پیش از قرار گرفتن گرافین، الگوسازی شده است. برای این منظور، سیلیکون تا ضخامت 300 نانومتر اکسید شده و سپس فلزات au/ti بر روی آن لایه نشانی می شوند. در مرحله بعد با استفاده از ماسک مخصوصی، فرآیند زدایش انجام می شود. پس از ...