نتایج جستجو برای: sic سینتر شده
تعداد نتایج: 480616 فیلتر نتایج به سال:
در این تحقیق اثر دانه بندی کک بر کیفیت سینتر در فرآیند تولید سینتر در مقیاس آزمایشگاهی مورد بررسی قرارگرفته است. بدین منظور دامنه¬های مختلفی از اندازه ذرات کک در محدوده¬های 35/3-0 ، 88/2-0 ، 35/3-212/0 ، 88/2-212/0 ، 35/3-355/0 ، 35/3-5/0 ، 35/3-71/0 میلیمتر و نمونه شاهد انتخاب و با ثابت نگه داشتن سایر پارامترها از جمله دانه¬بندی سنگ آهن، آهک، فرایند مخلوط¬سازی، شرایط مکش و غیره، عملیات پخت و ت...
تولید ابزارهای برشی امروزی، بدون استفاده از کاربیدهای سمانته به عنوان ماده اولیه ممکن و میسر نمی شد. نیاز صنایع به ابزارهای برشی جدید با توانایی و کیفیت بالاتر جهت حصول نتایج اقتصادی بهتر، منجر به بهره?گیری از فرآیندها و روشهای پیشرفته و مدرن در تولید و یا بهبود آنها شده است. در این پژوهش تلاش گردید با افزایش زمان فرآیند سینتر و براساس روش سینتر مجدد، خواص گوناگونی را جهت حصول دامنه های کاربردی...
The Si-coated SiC (Si-SiC) composite nanoparticle was prepared by non-transferred arc thermal plasma processing of solid-state synthesized SiC powder and was used as a sintering additive for SiC ceramic formation. Sintered SiC pellet was prepared by spark plasma sintering (SPS) process, and the effect of nano-sized Si-SiC composite particles on the sintering behavior of micron-sized SiC powder ...
گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می‌دهد. کاربید سیلیسیم (SiC) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده‌ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار ...
ذرات کاربید سیلیکون (SiC) با نانو ذرات نیترید بور (BN) پوشش دهی و سپس سنتز شده اند. سرامیک های نانو کامپوزیتی و میکروکامپوزیتی SiC/BN باروش زینترینگ پلاسمای فعال (PAS)، زینتر شده اند. در نانو کامپوزیت ها به واسطة توزیع همگن نانو کریستال های BN اطراف دانه های زمینه SiC٬ اندازة دانة نانو کامپوزیت ها کوچک تر از دانه های منو لیتیک و میکرو کامپوزیت های SiC است. به دلیل اینکه استحکام خمشی نانو کامپوز...
Current advancement in electronic devices is so rapid that silicon, the semiconductor material most widely used today, needs to be replaced in some of the fields. Silicon carbide (SiC) is a wide band gap semiconductor satisfying requirements to replace silicon in devices operating at high power and high frequency at elevated temperature, and in harsh environments. Hexagonal polytypes of SiC, su...
با استفاده از یک روش آندایز آلومینیم، فیلم نانوکامپوزیتی آندایز حاوی نانوپودر sic (با ذرات حداکثر 50 نانومتر) بر روی آلومینیم خالص تجاری (al 30/99%) تشکیل شد. میکروساختار و خواص فیلم اکسیدی بوسیله میکروسکوپ نوری، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و میکرو آنالیز پراکنش اشعه x (edx) بررسی شدند. به منظور ارزیابی خواص مکانیکی فیلم نانوکامپوزیتی، میکروسختی و تست سایش انجام شدند. نتایج نشان می دهند که ...
in the present study we focused on the electronic and structural properties of na and mg adsorption on the surface of the (6, 6) armchair sicnts. the adsorption energy (eads), band gap energy (eg), partial density of state (pdos), chemical potential (μ), global hardness (η), electrophilicity index (ω), global softness (s), work function values (φ) and work function change (δφ) are calculated by...
We construct the set of all general (i.e. not necessarily rank 1) symmetric informationally complete (SIC) positive operator valued measures (POVMs), and thereby show that SIC-POVMs that are not necessarily rank 1 exist in any finite dimension d. In particular, we show that any orthonormal basis of a real vector space of dimension d 2 − 1 corresponds to some general SIC POVM and vice versa. Our...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید