نتایج جستجو برای: گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک بالا

تعداد نتایج: 673762  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1389

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1389

در این پروژه، داده های دی الکتریک مخلوطهای دوجزئی ( اتیل استات/ بوتیل استات + ایزو امیل الکل ) و (اتیل استات/ بوتیل استات + ترشیو بوتیل الکل) به صورت تجربی در کسر مولی های مختلف در دمای( 2/298 کلوین ) بررسی شدند. ممان دوقطبی (ایزو امیل الکل ، ترشیو امیل الکل ، ترشیو بوتیل الکل ، اتیل استات و بوتیل استات) در حلال سیکلوهگزان با بکارگیری معادله گوگنهام اندازه گیری شدند. فاکتورهای همبستگی به منظور ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1386

چکیده ندارد.

ژورنال: :مکانیک سازه ها و شاره ها 2014
غلامرضا تطهیری غلامحسین پوریوسفی علیرضا دوست محمودی مسعود میرزایی

کنترل جریان در لایه مرزی، یکی از اساسی¬ترین موضوعات علم آیرودینامیک است. معمولأ کنترل جریان با هدف کنترل جدایش در لایه مرزی صورت می¬گیرد. امروزه استفاده از محرک¬های فعال الکتروهیدرودینامیکی، به دلیل دسترسی و سادگی نصب، عدم نیاز به تعمیرات خاص، زمان پاسخ بسیار کوتاه و مصرف انرژی بسیار کم، بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در این مقاله، با استفاده از یک هندسه یکسان، اثرات وجود مانع دی¬الک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1379

در این پروژه قابلیت حل شدن فلوئورید منیزیم در حلال مخلوط آب - اتانول در درصدهای وزنی مختلف الکل با دو روش پتانسیومتری با الکترود یون گزین فلوئوراید و جذب اتمی تعیین شده است و سپس با تعیین حلالیت تجربی این نمک در درصدهای مختلف الکل که قدرت یونی همه محلول ها نسبت به نیترات سدیم 1/0 مولار می باشد و معادله توسعه یافته دبای هوکل و برونیابی در قدرت یونی صفر حاصلضرب حلالیت ترمودینامیکی این نمک در درصد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه خلیج فارس - دانشکده علوم پایه 1390

در این تحقیق پارامترهای مدل درود- لورنتس را با استفاده از روش شبیه سازی گرمایی برای طلا، نقره و مس در محدوده ی ev 001/1 تا ev 60/6 به دست آورده و سپس با استفاده از آن ها قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک و ثابت های اپتیکی n ,k را محاسبه کرده ایم که در مقایسه با کارهای قبلی از دقت بالاتری برخوردار بوده است. در رابطه با طلا حداکثر درصد خطای نسبی n ,k نسبت به داده های تجربی به ترتیب 5/3% و 5...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1392

در این پایان نامه، برای توصیف اثر محیط دی الکتریک بر حالت های کوانتومی فرودی بر آن، ابتدا کوانتش امواج الکترومغناطیسی را در محیط های دی الکتریک پاشنده و جاذب بررسی می کنیم. به طور کلی کوانتش امواج الکترومغناطیسی را می توان به دو رهیافت لاگرانژی و پدیده شناختی دسته بندی کرد. در این جا با بهره گیری از کوانتش امواج الکترومغناطیسی به روش لاگرانژی، اثرات محیط تیغه ی د ی الکتریک پاشنده و جاذب را روی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم 1391

هدف از اجرای این پروژه، تهیه و شناسایی پلی ایمیدها و نانو هیبریدهای پلی ایمیدی است که ضمن داشتن پایداری حرارتی و خواص مکانیکی و شیمیایی مطلوب ، از ثابت دی الکتریک کاهش یافته ای برخوردار باشند. بنابراین این تحقیق را می توان به دو بخش اصلی تقسیم کرد : 1- پلی ایمیدهای نوین بر پایه سیلوکسان 2- نانو هیبریدهای پلی ایمیدی مربوطه بر پایه نانوذرات سیلیکا در بخش اول برای تهیه پلی ایمیدها ، طراحی وسنت...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی، اپتیکی و ثابت های کشسانی ترکیب های هویسلر Co2CrZ(Z=Al,Ga) مورد مطالعه قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریة تابعی چگالی با استفاده از تقریب GGA و کد محاسباتی Wien2k انجام گرفته است.در این تحقیق خواص ساختاری ترکیب های Co2CrZ(Z=Al,Ga) ازجمله ثابت شبکه،مدول انبوهه و مشتق آن محاسبه شده است.در این مح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران 1388

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید