گرافین کامل و دست نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان یافته با هیدروژن در غیاب نقص های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی جای ها، خواص مغناطیسی را به شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی جای ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانونوار...

در این مقاله برخی خواص الکترونیکی ابررسانای جدید sr2vo3feas از جمله چگالی حالت ها، ساختار نواری، چگالی ابر الکترونی و طول پیوندها در حالت پایه ارائه شده است. همچنین بر اساس n(ef) در حالت پایه مقدار cv/t تخمین زده شده است. محاسبات به روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) در چهارچوب نظریه تابعی چگالی dft با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است.

امروزه ساخت دسته جدیدی از قطعات الکترونیکی مانند سیم های کوانتومی و حافظه های مولکولی با رفتارهای ویژه و قابل توجه از مهمترین فناوری های پیشرفته در توسعه نانو محسوب می شود.محققین بسیاری رسانش دستگاه های مزوسکوپیک وعمدتاً دستگاه های مولکولی ساندویچ شده بین دو الکترود فلزی را بررسی کرده اند و پدیده هایی همچون سوئیچ زنی و تقویت کنندگی را در این رساناهای مولکولی مشاهده کرده اند و تلاش کرده اند تا قط...

در این پایان نامه خواص ساختاری، ساختار الکترونی و خواص اپتیکی ترکیب مونوفریب استرانسیوم مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی و تقریب هایgga ، lsda، gga+u، pbe0و mbj با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام گرفته است. ثابت های شبکه ی مورد استفاده در این محاسبات برابر با a=15.66(bohr) , b=17.61(bohr), c...

به عنوان یک تعریف ساده از مواد با خواص تابعی، مواد کامپوزیتی با ریز ساختار ناهمگن می‌باشند که از دو یا چند جز تشکیل شده‌اند. خواص این مواد از یک سطح به سطح دیگر تغییر می‌کند. روش گریز از مرکز، یکی از روش‌های مفید در ساخت این گونه مواد است که پارامترهای مختلف این فرآیند بر روی شیب توزیع مواد تقویت کننده موثر می‌باشند. در این تحقیق، از پودرهای مس، آهن، کاربید سیلیسیم و آلومینا به عنوان تقویت کنند...

در این مقاله در چارچوب نظریة تابعی چگالی و با استفاده از روش امواج تخت و شبه پتانسیل، به بررسی اثرات جای گذاری پتاسیم در ترکیب yba2-xkxcu3o7 با مقادیر 75/0و5/0،25/0،16/0=x پرداخته و ساختار الکترونی، سطوح انرژی و چگالی حالات (dos) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) محاسبه شده است. با افزایش میزان پتاسیم تغییراتی در ساختار الکترونی و چگالی حالت های جزئی به وجود آمده است که در مقایسه با نتایج تجربی گز...

boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...

در این پایان¬نامه، با استفاده از بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو و استفاده از امواج تخت و شبه پتانسیل، به بررسی ابتدا به ساکن خواص ساختاری و الکترونی ترکیب mg3p2 در فاز پایدار آنتی بیکسبایت آن پرداخته ایم. با در اختیار داشتن مقدار ثابت تجربی شبکه، به بهینه¬سازی کمیت¬های انرژی قطع تابع موج و تعداد نقاط مناسب در منطقه اول بریلوئن پرداخته¬ایم. سپس با استفاده از این مقادیر بهینه، با کم و زیاد کردن درص...

در این مقاله در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از روش امواج تخت و شبه پتانسیل، به بررسی اثرات جای گذاری پتاسیم در ترکیب yba2-xkxcu3o7 با مقادیر 75/0و5/0،25/0،16/0=x پرداخته و ساختار الکترونی، سطوح انرژی و چگالی حالات (dos) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) محاسبه شده است. با افزایش میزان پتاسیم تغییراتی در ساختار الکترونی و چگالی حالت های جزئی به وجود آمده است که در مقایسه با نتایج تجربی گز...