نتایج جستجو برای: گالیوم سلنید
تعداد نتایج: 188 فیلتر نتایج به سال:
تکنولوژی حسگرها به طور گسترده ای برای تشخیص گازها مورد بررسی و استفاده قرار گرفته است. با توجه به کاربرد های متفاوت و محدودیت های ذاتی تکنولوژی حسگرهای گاز پژوهشگران مشغول تحقیق بر روی طرح های متفاوتی هستند تا حسگرهایی با دقت و کالیبراسیون بهتری ابداع کنند. در این پایان نامه از اتصال شاتکی نیمه هادی گالیوم آرسناید برای ساخت حسگر گاز آمونیاک استفاده شده است. در این راستا دو ماده حساس به گاز آمون...
در این مقاله ویژگی های ساختاری و الکترونی ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکم پذیری،بهینه سازی حجم ، ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ها و چگالی ابرالکترونی نیم رسانای منیزیم سلنید (mgse) درفازهگزاگونال برای ساختارb4 مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبه ها بااستفاده ازروش امواجتخت تقویت شدۀخطیباپتانسیل کامل، درچارچوبنظریۀتابعیچگالی (dft) وبااستفادهازنرمافزار wien2kصورتگرفت.نتیجه هایبه دستآمدهیک گاف...
در این پژوهش، سنتز نقاط کوانتومی CdTe و نقاط کوانتومی هسته CdTe و پوسته CdSe، CdS، ZnS و ZnSe به روش همرسوبی انجام شد. در این راستا ابتدا هسته CdTe سنتز و اثر زمان تقطیر برگشتی یک تا هفت ساعت بر خواص نورتابی، گاف نواری، ساختار و ریزساختار آن بررسی گردید. نتایج نشان ...
خواص ساختاری والکترونی نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با استفاده از نظریه تابعی چگالی
در این پژوهش خواص ساختاری و الکترونی نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرضهای 19.2، 24.85، 30.49 و 36.14 آنگستروم که متناظر هستند با شمارههای زنجیرۀ زیگزاگ 3، 5، 7 و 9 با استفاده از اصول اولیه و روش نظریۀ تابعی چگالی بررسی شده است. این بررسیها با استفاده از امواج تختِ تقویتشدۀ خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW و کاربرد تقریب شیبِ تعمیمیافته برای پتانسیل تبادلـهمبستگی صورت گرفته اس...
لایههای نازکِ سلِنید روی بر روی زیر لایۀ شیشهای در دماهای زیر لایۀ ºc 380 و 400 به روش تجزیۀ گرمایی افشانهای لایه نشانی و سپس در دمای ºc400 بازپُخت شدند. ساختارِ نمونهها با استفاده از طیفهای xrd و خواصِّ اپتیکی آن ها با استفاده از طیف سنجی نوری uv-vis مورد مشخّصه یابی قرار گرفت. مطالعۀ طرحِ پراش نشان داد که نمونهها قبل از بازپُخت دارای ساختارِ آمورف با اندکی فاز اکسید روی هستند امّا بعد از بازپُخت...
� در پژوهش حاضر تفجوشی پودر سلنیدروی با روش SPS با موفقیت انجام شد. اثر متغیرهای دما و فشار این روش بر روی دانسیته بالک قطعه بررسی گردید. برای اندازه?گیری دانسیته از روش ارشمیدسی، برای بررسی ریزساختار از میکروسکوپی نوری و میکروسکوپی الکترونی روبشی و برای بررسی فازها از الگوی پرتواشعه X استفاده شد. نتایج به دست آمده نشان داد که دما و سپس فشار بیشترین اثر را دارند و بالاترین دانسیته نسبی (3/99%) ...
هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی in(io3)3، در فاز هگزاگونال، در حالت خالص و آلائیده با ناخالصی گالیوم (ga) و آلومینیم (al)، میباشد. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شدهی خطی (fp-lapw) و تقریب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج به دست آمده از ساختار نواری نشان میدهد که in(io3)3، یک نیمهرسانا با گاف نواری غیر مستقیم در راستای m به g، به اند...
مقدمه: یکی از مشکلات رایج ناحیۀ آرنج، اپیکندیلیت خارجی یا آرنج تنیسبازان است. درد با لمس، با حرکات مقاومتی اکستانسیون مچ دست و انگشت میانی و با گریپ دست باز تولید میشود. پاتومکانیک اپیکندیلیت خارجی آرنج شامل اعمال لودهای تکراری به تاندون و فعالیت عضلانی درطی ورزشهایی مثل تنیس و فعالیتهای شغلی است. بعضی درمانهای بهکاررفته در این سندرم شامل تزریق داروهای استروئیدی، داروهای غیر استروئیدی...
نانو سیم های نیترید گالیوم در سه بعد دارای خواص پیزو الکتریک می باشد تائید قطبیت پیزوالکتریک روی افت پتانسیل ممکن است عامل مهمی باشد به این شکل که وقتی قطبیت پیزو الکتریک کاهش مییابد افت پتانسیل ساختار کوانتوم ول گالیم نترات بسیار بیشتر می شود میدان پیز و الکتریکی در نانو وایرهای کوانتومی گالیم نیترات نقش مهمی درانتشار نورنیتریدی دیود ها و لیزرها ایجاد می شود .که درطول موج قودرت نوسان گر و طول ...
در این پایان نامه یک تقویت کننده توان دوهرتی در فرکانس مرکزی 2/4ghz با بازدهی بالا طراحی و شبیه سازی شده است. تقویت کننده توان دوهرتی یک روش افزایش بازدهی در تقویت کننده های توان می باشد. در این شبیه سازی از تکنولوژی ommic ed02ah و ترانزیستور های phemt از جنس گالیوم آرسناید استفاده شده است. ویژگی منحصر به فرد تقویت کننده توان دوهرتی ساختار ساده آن می باشد که از دو تقویت کننده ی توان موازی و خطو...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید