نانوذرات ابر پارامغناطیسی اکسید آهن (SPION) پس از تهیه شدن، با هدف بررسی پراکنش زیستی این ذرات در بدن موش صحرایی، با گالیم-67 نشان‌دار شدند تا Ga]-SPION67[ به دست آید. نانوذرات ابر پارامغناطیسی اکسید آهن با دانه‌بندی کوچک با روش هم‌رسوبی با استفاده از نمک‌های آهن 3Fe+ و 2Fe+ با نسبت مولی 2 به 1 سنتز شدند. از روش­های شناسایی XRD، TGA، DSC، V...

در سال های اخیر خواص ساختاری و الکتریکی نانو لوله های متنوعی در علوم مهندسی و کاربردی و تئوریکی مورد بررسی قرار گرفته است. هدف از مطالعه این پروژه بررسی اثر جذب گاز هیدروژن سیانید بر روی (4و4) آرمیچر و (0و8) زیگزاگ خالص و جایگزین شده با گالیوم ، نیتروژن و گالیوم- نیتروژن بر روی نانو لوله بور فسفید است. کلیه محاسبات با استفاده از تئوری dft و در سطح b3lyp/6-31g و نرم افزار گوسین 9 انجام شده است. ...

در این مقاله ساختار نواری وابسته به قطبش در موجبر بلور فوتونی دو بعدی با شبکه مربعی متشکل از المان های با سطح مقطع بیضوی از جنس گالیم آرسناید در زمینه هوا با استفاده از روش بسط موج تخت مطالعه شده است. سپس به بررسی تغییرات ساختار نواری موجبر بلور فوتونی، با تغییر در کشیدگی المان ها پرداخته شده است. براساس نتایج حاصله، با افزایش میزان کشیدگی المان های بیضوی، هردو مشخصه پهنای نوارگاف و بزرگی ویژه ...

چکیده علی رغم مشکلات فراوان در ساخت سیستم های کوانتومی یک بعدی مانند سیم های کوانتومی، مواد نانوساختار در چند دهه ی اخیر توسعه یافته اند. در این تحقیق بعد از مقدمه ای کوتاه درباره ی فناوری نانو، کاربردهای آن، مواد نانوساختار و روش های ساخت آن توضیح داده شده است و پس از آن به توصیف سیم های کوانتومی، روش های ساخت، ویژگی و کاربردهای آن پرداخته ایم. به دنبال آن ترکیب گالیم آرسناید و اهمیت آن د...

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

با استفاده از معادلات نرخ لیزر خود سامانده نقطه کوانتومی ایندیم گالیم آرسناید - گالیم آرسناید، تابع انتقال این نوع لیزر استخراج و ارائه می شود بطوریکه با بهره گیری از آن می توان انواع تحلیلهای حوزه زمان و پایداری در حوزه فرکانس را انجام داد. در حوزه زمان، تابع انتقال ارائه شده رفتار حالت گذرا و دائمی لیزر را به صورت یکجا محاسبه می کند. همچنین این تابع انتقال می تواند در شبیه سازهای مداری نظیر ا...

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار ‏‎pn‎‏ از جنس نیمه هادی گالیم آرسناید به روش باریکه مولکولی ‏‎(mbe)‎‏ می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلولهای خورشیدی پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود ‏‎pn‎‏ برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی نیاز است تا الکترونها و حفره های تولید شده توسط نور از یکدیگر جدا شوند و هرکدام به یکی از اتصالهای خارجی هدایت شود. برای تحقیق این امر ...

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبga1-xalxas ‎ به ازای ‎x=0, 0.25, 0.75, 1‎ با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. این بررسی ها با استفاده از محاسبه انرژی کل و از طریق روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) که بر پایه نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ-کوهن شم استوار است، به کمک کد wien2k صورت گرفته است. در ارتباط با برهمکنش های پتانسیل همبستگی تبادلی از تقریب چگالی...

رشد لایه های رونشستی gaas برای اولین بار در ایران با رونشستی پرتو مولکولی mbe انجام شد. این لایه ها عموما" با نرخ یک میکرون در ساعت و با ناخالصی سیلیسیم بر زیرلایه های gaas(001) رشد داده شده است . کیفیت بلوری لایه ها همزمان با انجام رشد توسط سیستم پراش بازتابی الکترون پر انرژی (rheed) تحت مراقبت قرار می گرفت . توسط توزیع نگار خازن - ولتاژ الکتروشیمیایی (ecvp) توزیع چگالی ناخالصی در عمق و نیز ضخ...