رهیافت این پایان نامه گام اول از یک مسیر تحقیقاتی در بررسی مشخصه های مختلف فیبرهای بلور فوتونیِ میان تهی با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود است.در ابتدای کار برنامه ای جهت شبکه بندی سلول واحد در دو محیط نرم افزاری فرترن 90 و متلب نوشته شده است که قابلیت شبکه بندی یکنواخت سلول واحد ساختار مثلثی و با اندکی تغییر ساختارهای دیگر را دارد.در ادامه ی کار نیز روابط مربوط به روش اجزای محدود در قالب ب...

امروزه سیستم های تک لایه ای بسیاری شناخته شده ومورد مطالعه قرار گرفته اند، از جمله:گرافن(یک لایه از گرافیت)، برون ن نیترید شش ضلعی (h-bn)، بورن کربید، مولیبدیم دی سولفید، سدیم کلراید، آلومینیوم دی سولفایدو... . برای پیشرفت در نانو تکنولوژی آشنایی با سیستم ی تک لایه ای خنثی که در شرایط محیطی مختلف تمیز باقی می مانند و با بالا رفتن درجه حرارت پایداری خود را حفظ می کنند لازم است. در این زمینه گراف...

اخیراً متامواد تک منفی، به دلیل خواص منحصر بفرد و کاربردهای مفیدشان به طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته اند. متامواد تک منفی شامل مواد اپسیلون-منفی با گذردهی الکتریکی منفی و نفوذپذیری مغناطیسی مثبت و همچنین شامل مواد مو-منفی با گذردهی الکتریکی مثبت و نفوذپذیری مغناطیسی منفی هستند. این ساختار های مصنوعی می توانند در قالب بلورهای فوتونیکی، خصوصیات ویژه ای را نشان دهند. مشخص شده است که بلورهای فوت...

در این پایان نامه پس از نگاهی به تاریخچه بلورهای فوتونیکی، اثرات اپتیک غیرخطی را بررسی کردیم و سپس نگاهی عمیق به درون بلورهای فوتونیکی انداختیم و فهمیدیم شکافت نواری کامل فوتونیکی برای یک شبکه مربعی چه زمانی حاصل می شود بدلیل سادگی ساختار بلور های فوتونیکی دوبعدی نسبت به بلورهی فوتونیکی سه بعدی ما شبکه های دو بعدی را در نظر گرفتیم. با در نظر گرفتن یک بلور فوتونیکی، که آنچنان ساخته شده است که د...

در این پژوهش به بررسی ایجاد گاف نواری در گرافن با استفاده از چینش بر روی لایه ی بورنیترید شش-گوشی پرداخته شده است. به این منظور ویژگی های ساختاری و الکترونی تک لایه های گرافن و بورنیترید، و دستگاه دولایه ای گرافن/بورنیترید مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات برپایه نظریه ی تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی pwscf مبتنی بر شبه پتانسیل انجام شده است. نتایج عدم وجود گاف نواری در گرافن و عایق ب...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...

موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

دیودهای نورگسیل پلیمری (pleds) به طورکلی از چند لایه ی آلی پلیمری تشکیل شده اند که روی هم قرار گرفته و با اعمال ولتاژ به آنها، می توان از آنها نور گرفت. این منابع نوری ویژگی های منحصربه فردی دارند که همین ویژگی ها منجر به کاربردهای مختلف آنها شده است. مهم ترین کاربرد این منابع استفاده از آنها در ساخت صفحه نمایش هاست. صفحه نمایش های ساخته شده از این قطعات، در ولتاژهای پایین کار می کنند، می توانن...

لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...