دی اکسید تیتانیم (tio2) یک اکسید فلز واسطه با گستره وسیعی از کاربردهاست، که مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. این ماده همچنین به عنوان یک سیستم مدل در علوم سطح به کار برده می شود. محاسبات در چارچوب نظریه تابعیت چگالی به روش شبه پتانسیل و به کارگیری تقریب های lda و gga روی انبوهه rutile tio2 و سطح استوکیومتری و کاهش یافته (110) rutile tio2 انجام می شود. مطالعات ساختار الکترونی نشان می د...

بلورهای مایع در بیشتر کاربردهای روزمره از تلفن-های موبایل با ابعاد کوچک تا نمایشگرهای تخت با قدرت تفکیک بالا، حضور همیشگی دارند. بلورهای مایع کلستریک (clc) یکی از انواع بلورهای مایع می باشند که توسط یک گیاه شناس اتریشی به نام فریدیریک رینیتزر در سال1882 شناسایی شدند که اخیراً این مواد تحول علمی را در یک شاخه ی بسیار متفاوت ایجاد کرده اند که آن لیزرهای آلی تنظیم پذیر می باشد. هنگامی که یک ناخ...

چکیده در سال های اخیر به خاطر گسترش روزافزون سیستم های ارتباطی و تکنولوژی اطلاعات، سیستم های نوری که دارای پتانسیل بسیار بالائی در اثر انتقال، پردازش و ذخیره اطلاعات می باشد، مورد توجه بسیاری قرار گرفته است. در این راستا مباحث زمانی و فضائی سالیتون ها با دارا بودن خواص شبه ذره ای از اهمیت به سزائی برخوردار می باشند. در این پایان نامه سالیتون های گاف که جزو سالیتون های فضائی بوده و قابلیت انتشا...

چکیده ندارد.

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پای...

بلورهای فوتونیکی ساختارهایی از مواد دی الکتریک هستند، که ضریب شکست در آن ها به صورت تناوبی تغییر می کند. از این ساختارها می توان در قسمت های اصلی وسیله های کنترل نور استفاده نمود، برای این منظور به بلور فوتونیکی دو بعدی از ستون های دی الکتریک مثلاً gaas نیازمندیم، با ایجاد نقصی در این بلور به عنوان مثال با حذف سه ستون در یک امتداد می توان یک کاواک l3 ایجاد نمود. نقص l3 اولین نوع از کاواک های بلو...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.