یک موجبر بلور فوتونی در این مقاله ارائه شده است. این ساختار آرایه دو بعدی از میله‌های سیلیکونی است که در آرایش مثلثی چیده شده‌ است. میله‌ها در زمینه هوا و در صفحه x-z قرار گرفته است. ساختار موجبر با حذف میله‌های سیلیکون ایجاد شده است. آرایش شکاف باند در این اسپلیتر با روش FDTD بررسی شد. این موجبر می‌تواند نقش اسپلیتر را ایفا کند. با استفاده از این آرایه اسپلیتر دو پورتی و سه پورتی ایجاد شده است...

در دهه گذشته، یک فناوری جدید بوجود آمد که توانست مشکل آنتن های میکرواستریپ در پهنای باند وسیع را برطرف سازد. در این تکنولوژی می توان با ترکیب بندیِ شکل جدیدی از زیرلایه ی آنتن های پَچ، یک باند ممنوع? فرکانسی از امواج الکترمغناطیسی را بوجود آورد. این کار باعث بهبود در بازدهی و پهنای باند آنتن های پچ و از طرفی باعث کاهش لوپ های تشعشعیِ کناری و کاهش سطوح تداخل در آنها می شود. این زیرلایه های، اصطلاحاً...

در این پایان نامه بلور فوتونی دو بعدی متشکل از دو نانو استوانه هم مرکز دی الکتریک-فلز را در شبکه مربعی با استفاده از روش بسط موج تخت اصلاح یافته شبیه سازی و مورد مطالعه قرار داده-ایم. چهار ساختار در نظر گرفته شده، اولین ساختار، بلور فوتونی دو بعدی متشکل از نانو میله های دی الکتریک با پوسته ای از جنس فلز نقره می باشد که در زمینه ای از هوا قرار گرفته است. دومین ساختار، متشکل از نانو میله هایی از ...

در این مقاله دو موج‌بر نور آهسته بلور فوتونی برمبنای یک تزویج‌گر سمتی طراحی‌شده و به‌منظور تطبیق این موج‌برها به موج‌بر متداول W1، ساختارهایی پیشنهاد شده‌است. برای شبیه‌سازی این ساختارها از روش‌های تفاضل محدود در حوزه زمان و نیز از روش بسط موج تخت استفاده شده‌است. در ساختار نور آهسته اول، ضریب شکست گروه 18.05 و مقدار GBP برابر با 0.278 و در ساختار دوم با تغییر شبکه بلور فوتونی مثلثی به مربعی در...

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه گاف نوار فوتونی نامیده می شود. بلورهای فوتونی یک بعدی ساختارهای دی الکتریکی هستند که خصوصیات اپتیکی-شان در یک جهت تغییر می کند، این جهت محور تناوبی نامید...

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

قالب سازی برای شارش مناسب نور در مقیاس طول موج آن، چالش بزرگ بحث بلورهای فوتونی می باشد. موجبرهای بلور های فوتونی معمولا با ایجاد نقص های خطی بدست می آید، مشروط بر این که بلور فوتونی در فرکانس مورد نظر دارای گاف باند فوتونی باشد. اخیرا، با معرفی بلورهای فوتونی مدرج فرآیند موجبری بدون نیاز به ایجاد نقص داخل ساختار انجام شده است. این بلورها به وسیله ی ایجاد تغییرات تدریجی در پارامترهای بلور فوتون...

چکیده : آنچه بخوبی شناخته شده این است که گسیل خودبخود یک اتم نه تنها به خواص سیستم اتمی تحریک شده وابسته است بلکه به خواص محیط احاطه کننده اتم نیز وابسته می باشد. از نقطه نظر محیط احاطه کننده اتمها، ساختارهای گاف باند فوتونی (pbg) چگالی حالات متفاوتی نسبت به فضای آزاد از خود نشان می دهند. مطالعه پدیده های اپتیک کوانتومی در اتمهای واقع شده در چنین ساختارهایی منجر به پیش گویی آثار جالب زیادی مث...

در این رساله با استفاده از روش تفاضل محدود در زمان ابتدا به بررسی تأثیر خواص غیر خطی (از نوع کر) بلور فوتونی معکوس دو بعدی با شبکه های مربعی، مستطیلی و مثلثی بر میزان عبور نور از آنها می پردازیم. همچنین با ایجاد نقص دربلور با شبکه مثلثی، باند ممنوعه آن را با بلور کامل(بدون نقص) مقایسه خواهیم کرد. در ادامه میزان عبور نور از موجبرهای بلور فوتونی با شبکه های مربعی و مستطیلی را بررسی کرده ایم. از ن...

در سال های اخیر، ادوات بلور نوری تحول عظیمی در مخابرات نوری ایجاد کرده اند.از جمله این ادوات می توان به فیبرهای بلور نوری اشاره کرد که به خاطر خواص منحصر به فرد آن ها (مانند تک مود بودن در طیف وسیع، کنترل پاشندگی و شیب آن ، تلفات تحدید و تلفات خمش بسیار کم و ... ) در مقایسه با فیبرهای معمول، بسیار مورد توجه محققین قرار گرفته اند. لذا با توجه به اهمیت این موضوع، در این پایان نامه به طراحی و شبیه...