ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

جریان سیال از روی یک استوانه علیرغم سادگی ظاهری دارای پیچیدگی های ذاتی فراوانی است و وجود سطح آزاد سیال در نزدیکی آن بر این پیچیدگی ها می افزاید. این موقعیت دارای محدوده وسیعی از کاربردهای مهندسی - از جریان دو فازی درون مبدل های حرارتی تا تأسیسات دریایی مختلف مانند تجهیزات حفاری و استخراج حامل های انرژی از اعماق اقیانوس ها - را در بر می گیرد. در این تحقیق با تهیه و توسعه یک کد محاسباتی کامپیوتر...

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

در این کار تحقیقاتی روشی سریع و ساده بر پایه کپسولی شدن القا شده با ضدحلال برای استخراج و پیش- تغلیظ نانوذرات نقره ارائه شده است. حلال آلی (0.1 میلی لیتر) به محلول نانوذرات نقره پایدار شده با نشاسته افزوده شد. به مخلوط حاصل مقدار معینی از سولفات آمونیوم (0.3 گرم) اضافه ومحلول تاحل شدن کامل نمک همزده شد. سپس یک میلی لیتر ضدحلال آلی به محلول اضافه شد. به کمک سانتریفیوژ(3000 دور بر دقیقه، 5 دقیقه)...

در رگ های خمیده، به دلیل هندسه و همودینامیک جریان متفاوت نسبت به رگ های مستقیم، توزیع متوازن اکسیژن روی دیواره رگ به هم می خورد که این نا به هنجاری سهم قابل توجهی در پیدایش و توسعه گرفتگی رگ هادارد. در این تحقیق به بررسی عددی انتقال جرم اکسیژن خون در دیواره و داخل یک رگ خمیده سه بعدی پرداخته شده است.به منظور بدست آوردن توزیع غلظت اکسیژن در رگ، معادلات حاکم بر انتقال جرم اکسیژن و شرایط مرزی حاکم...

تنشهای دیواره شریان یکی از عوامل اصلی ایجاد تغییر در سیستم شریانی هم در دوران رشد طبیعی و هم در زمان پیشرفت بیماری های شریانی محسوب می شود. بنابراین تعیین مقدار تنشهای دیواره در مراحل بیولوژیکی و پاتالوژیکی مهم است. از آنجایی که هندسه و ساختمان شریان در پاسخ به تغییر بارگذاری تغییر می کند، به عنوان یک قاعده اصلی می توان گفت که دیواره شریان قابلیت سازگاری با شرایط خارجی را دارد تا در مقابل افزای...