در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

سابقه و هدف: مطالعات گذشته نشان داده است که گلوکوکورتیکوییدها نقش مهمی در رفتارهای درد نوروپاتی بازی می کنند ولی مکانیسم های درگیر مشخص نیستند. با توجه به دخالت گیرنده های nmda در درد نوروپاتی و تعامل گلوکوکورتیکوییدها با این عامل، هدف این مطالعه بررسی نقش گیرنده های nmda در اثرات کورتیکوسترون بر رفتارهای درد نوروپاتی در مدل آسیب مزمن ناشی از فشرده گی عصب (chronic constriction injury, cci) است....

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

در این تحقیق، تحلیل فرکانسی یک ورق ساندویچی با رویههای چندلایه کامپوزیتی و هسته انعطاف پذیر برای شرایط مرزی مختلف تحت شرایط دماییبررسی شده است. بدین منظور اثرات حرارتی و خواص هسته وابسته به دما در نظر گرفته شده است. برای استخراج معادلات حرکت، یک فرمولاسیون المان محدود هیبریدی لایه گون- تکلایه با در نظر گرفتن اثرات حرارتی ارائه شده است که در آن تعداد مجهولات مستقل از تعداد لایه ها میباشد. این فر...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

مقدمه : گیاه هاپیریکوم پرفوراتوم در پژوهشکده گیاهان دارویی دانشگاه شهید بهشتی کد گذاری گردید و عصاره گیری با استفاده از روش جوشاندن (decoction) انجام شد. گزارشات فراوانی راجع به اثرات ضدافسردگی هایپریکوم پرفوراتوم وجود دارد؛ اما در رابطه با اثرات ضد دردی خانواده هایپریکوم (به ویژه هایپریکوم پرفوراتوم) مطالعات کمی انجام شده است. هدف از این تحقیق بررسی اثرات مهاری عصاره آبی علف چای بر درد حاد (حر...

با کوچکتر شدن اندازه قطعات نیمه هادی به کمتر از 100 نانومتر، اثرات مکانیک کوانتومی در کارایی قطعه، خود را نشان می دهد. از اینرو محاسبات مربوط به مشخصه های جریان– ولتاژ ترانزیستور لایه نازک آلی بسیار پیچیده می شود. در این پایان نامه، مدل سازی ترانزیستور لایه نازک آلی با استفاده از شبکه های عصبی مصنوعی انجام شده است. این مدل سازی بر اساس داده های تجربی با بهره گیری از شبکه های عصبی مصنوعی می ...

جزیره حرارتی شهر یکی از بارزترین پیامدهای گسترش شهرنشینی و توسعه کلان‌شهرها است. اثرات ناشی از شکل‌گیری جزیره‌های حرارتی می‌تواند نقشی اساسی و مهم در کیفیت هوا و به تبع آن سلامت عمومی ایفا می‌نماید. پژوهش حاضر با هدف بررسی نقش پوشش عناصر سطح زمین در تغییرات اقلیمی دما در کلان‌شهر تهران صورت پذیرفته است. در این مطالعه، اطلاعات مورد نیاز از باندهای‌های 10 و 11 سنجنده‌های OLI و TIRS ماهواره لندست ...